ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
11
Выражение (1) достаточно точно описывает прямую ветвь ВАХ диодов с
переходом М-П при токе насыщения порядка 10
-9
А для ДБШ и 10
-6
А для
ТКД, причём при
5.105.1 −
≈
m для ДБШ и
27.1
−
≈
m
для ТКД. В отличие от p-
n-перехода, обратная ветвь ВАХ ТКД и ДБШ наклонна, не имеет чётко выражен-
ного участка насыщения вследствие тонкости перехода и влияния поверхностного
тока утечки.
6 НЕЛИНЕЙНЫЕ СВОЙСТВА ДИОДА
Свойства диода в основном определяются параметрами электрического пе-
рехода и его ВАХ. На рисунке
7 показана примерная зависи
-
мость параметров перехода
r
пер
и С
БАР
от напряжения смеще-
ния. В соответствии с типом
диода и назначением использу-
ется нелинейная зависимость
-U +U
r ,C
пер бар
r
пер
С
бар
Рисунок 7– Нелинейные характеристики
диода
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- …
- следующая ›
- последняя »