ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
10
В отличие от ТД ОД имеют очень маленькую величину пикового тока I
П
на
прямой ветви ВАХ и крутую обратную ветвь, которая используется в качестве ра-
бочей.
Из принципа действия ОД ясно, что они, во-первых, способны работать на
очень малых сигналах. Во-вторых, должны обладать хорошими частотными свой-
ствами, так как туннелирование – процесс малоинерционный, а эффекта накопле-
ния неосновных носителей при малых
прямых напряжениях практически нет. По-
этому ОД можно использовать на СВЧ. В-третьих, из-за относительно большой
концентрации примесей в прилегающих к электронно-дырочному переходу об-
ластях ОД оказываются мало чувствительными к воздействиям проникающей ра-
диации.
5 ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИОДОВ
Статическую ВАХ p-n-перехода аппроксимируют выражением
()
,1exp −Ι=Ι mkTеU
S
(1)
где
S
Ι
– ток насыщения при обратном смещении на диоде;
e – заряд электрона;
U – напряжение на диоде;
m – коэффициент неидеальности ВАХ близкий к двум;
k – постоянная Больцмана;
Т – абсолютная температура.
Пробивное напряжение p-n-перехода достаточно велико благодаря высокой элек-
трической прочности обеднённых слоёв полупроводника (ВАХ p-n на рисунке 6).
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- …
- следующая ›
- последняя »