Детекторный СВЧ диод - 8 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ЮФУ | Ростов-на-Дону

Составители: 

Рубрика: 

9
При концентрации примесей в p-n-областях диода, меньших, чем в туннель-
ных диодах, но больших, чем в обычных выпрямительных диодах, можно полу-
чить диод, зонная
диаграмма которого
показана на рисунке
5. Уровень Ферми при
такой средней кон-
центрации примесей
может быть располо-
жен на потолке ва-
лентной зоны p-
области и дне
зоны проводимости n-области диода, т.е. потолок валентной зоны
p-области и дно зоны проводимости n-области при нулевом смещении на диоде
находятся на одной высоте по энергетической диаграмме.
Обратная ветвь ВАХ ОД в соответствии с рисунком 6 аналогична прямой
ветви ВАХ туннельного диода (ТД), так как при обратных напряжениях происхо-
дит туннелирование
электронов из валентной зоны p-области в зону проводимо-
сти n-области. Поэтому обратные токи в ОД оказываются большими при ничтож-
но малых обратных напряжениях (десятки милливольт).
Прямая ветвь ВАХ ОД аналогична прямой ветви ВАХ обычного выпрями-
тельного диода, так как при прямых напряжениях на ОД прямой ток может быть
образован только в
результате инжекции носителей заряда через потенциальный
барьер электронно-дырочного перехода. Но заметная инжекция может наблю-
даться только при напряжениях в несколько десятых долей вольта. При меньших
напряжениях прямые токи в ОД оказываются меньше обратных.
Таким образом, ОД обладают выпрямляющим эффектом, но пропускное
(проводящее) направление у них соответствует обратному включению, а
запирающее (непроводящее) – прямому включению.
Зонна
проводимости
Запрещённа
зона
Валентная
зона
Р
n
Е
ф
Рисунок 5
– Зонная диаграмма p-n-перехода в
равновесии

Страницы