ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
4
СВЧ диодов используют переходы с малыми поперечными размерами точечные,
барьерная С
БАР
емкость которых не превышает десятых долей пикофарады, а по-
следовательное сопротивление потерь
r
б
– единиц ома.
2 ПЕРЕХОДЫ МЕТАЛЛ-ПРОВОДНИК
Основными элементами структуры полупроводниковых приборов являются
переходы, которые могут быть выпрямляющими и омическими.
Выпрямляющие переходы образуются в месте контакта металла с полупро-
водником (их называют барьером Шоттки) или на границе раздела двух полупро-
водников различного типа электропроводности (их называют p-n-переходы). Для
них подбирают материалы
с различным значением работы выхода (потенциалом)
электронов, вследствие чего на границе раздела возникает контактная разность
потенциалов, или потенциальный барьер, способствующий протеканию тока в
одном направлении и препятствующий – в другом. Благодаря этому переход об-
ладает односторонней проводимостью.
Предположим, что контакт осуществляется между металлом и n-
полупроводником, работа выхода которого меньше работы выхода электронов
из
металла
()
00
ϕ
ϕ
eе
п
< . Энергетические диаграммы до контакта и в состоянии рав-
новесия при контакте показаны на рисунке1.
