Детекторный СВЧ диод - 5 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ЮФУ | Ростов-на-Дону

Составители: 

Рубрика: 

6
М
Переход М-Р
P-Si
W
Рисунок 2– Точечный переход
3 ДИОДЫ С ПЕРЕХОДАМИ МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК
Переходы металл-полупроводник (М-П) имеют точечно-кантактные (точеч-
ные) диоды и диоды с барьером Шоттки (ДБШ).
3.1 Точечно-контактный
диод
Переход М-П точечно-
контактного диода образуется при-
жимом заострённой проволочки из
вольфрама (фосфоритной бронзы) к
кристаллу кремния (германия, ар-
сенида галлия) (рисунок 2).
Требуемой вольт-амперной характеристики (ВАХ)
добиваются индивидуально подбором точки контакта и регулировки силы при-
жима. Прижимной контакт даёт большой разброс параметров перехода, механи-
чески ненадёжен, диоды чувствительны к вибрациям и ударам. Значение обратно-
го тока ТКД велико в соответствии с рисунком 6, а его электрическая прочность
невысока.
3.2 Диоды с барьером Шоттки
Переход М-П, получаемый вакуумным напылением металла на полупро-
водник, называют переходом с барьером Шоттки. ДБШ выполняются из кремния
или арсенида галлия n типа, высота потенциального барьера у которых составляет
0,27 – 0,9В. Обычно в качестве металлического электрода используется молибден,
золото, алюминий и другие металлы, работа выхода которых для образования вы-
прямляющего контакта
должна быть больше работы выхода кремния.
На пластину низкоомного кремния (n+область) наращивается тонкий (не-
сколько микрометров) эпитаксиальный слой более высокоомного кремния

Страницы