Детекторный СВЧ диод - 4 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ЮФУ | Ростов-на-Дону

Составители: 

Рубрика: 

5
Поскольку
00
ϕ
ϕ
eе
п
<
, электроны при контакте из зоны проводимости n-
полупроводника переходят в зону проводимости металла, заряжая его отрица-
тельно. В приконтактной области n-полупроводника образуется слой, обеднённый
основными носителями и несущий не скомпенсированный положительный заряд
ионов-доноров. Образуется приконтактное поле
κ
ε
, которое препятствует даль-
нейшему движению электронов в металл. Это поле отталкивает свободные элек-
троны в области контакта и втягивает в приконтактную область дырки. При рав-
новесии уровни Ферми металла и полупроводника выравниваются. Образовав-
шийся запирающий слой шириной 1 лежит в основном в толще полупроводника,
так как его сопротивление значительно выше.
При
подключении внешнего источника питания в прямом направлении
(плюс на металле) потенциальный барьер снижается, сопротивление запирающего
слоя уменьшается и через переход течёт ток, обязанный перемещению электронов
в металл. При подключении обратного напряжения потенциальный барьер повы-
шается, но под действием увеличивающегося поля на переходе возможно движе-
ние дырок в металл. Этот ток
мал, так как концентрация неосновных носителей в
n-полупроводнике невелика.
В результате разности сопротивлений перехода при подключении прямого и
обратного напряжений такой переход, как видим, обладает выпрямляющими
свойствами.
Внешние металлические выводы прибора должны иметь с полупроводни-
ком невыпрямляющий омический переход (контакт), для чего между металлом и
полупроводником создаётся тонкий высоколегированный слой
полупроводника
того же типа проводимости, обычно с малой контактной разностью потенциалов в
сторону как металлического вывода, так и полупроводника (структура M-n+-n или
M-p+-p, где символ + означает высокую степень легирования).

Страницы