Аналоговая схемотехника. Схемотехническое проектирование усилителя импульсных сигналов. Павлов В.Н. - 23 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СПбГЭТУ «ЛЭТИ» | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

23
g
11
f
=(g
11
+∆R
f
)/F≈g
11
/F;
g
21
f
=(g
21
+∆R
f
)/F≈g
21
/F;
g
12
f
=(g
12
+∆R
f
)/F≈g
12
/F;
g
22
f
= (g
22
+∆R
f
)/F≈g
22
/F, (14)
где ∆=g
11
g
22
-g
12
g
21
; F=1+(g
11
+g
22
+g
12
+g
21
)R
f
, при этом для различных схем
включения транзисторов выполняются соотношения:
∆
оэ
=∆
об
=∆
ок
;
F
оэ
=1+(g
11
+g
22
+g
12
+g
21
)R
f
≈1+g
21
R
f
;
F
ок
=1+g
22
R
f
;
F
об
=1+g
11
R
f
. (15)
С приемлемой для практики точностью можно считать, что
K
оэ
f
≈ K
оэ
/F
оэ
; K
об
f
≈ K
об
/F
об
; K
ок
f
≈ K
ок
/F
ок
. (16)
Подстановка (12) в (13) с. учетом (15) и (16) дает выражения,
определяющие свойства различных каскадов в удобной для проведения
вычислений форме, когда эти свойства представлены через g-параметры
основной схемы включения, значение которых может быть оценено с помощью
(8) и (9). Результаты подстановки представлены в табл.3. При использовании
приведенных в таблице соотношений следует иметь в виду, что них в качестве
параметров R
э
и R
б
выступают соответствующие сопротивления внешних цепей,
подключенных к эмиттерному и базовому выводу транзистора.
Таблица 3
Вид
схемы
K
g
вх
g
вх
(R
с
=0)
g
вых
(R
с
≠0)
ОЭ
f
-g
21
––––––––––––––
g
н
(1+g
21
R
н
)+g
22
g
11
–––––––
1+g
21
R
э
g
22
––––––––––––––
1+g
21
R
э
+g
11
R
б
g
22
––––––––––––––––––
1+g
11
(R
б
+R
с
)+g
21
R
э
ОК
g
21
R
н
–––––––––
1+g
21
R
н
g
11
–––––––
1+g
21
R
н
g
21
g
21
––––––––––
1+g
11
R
с
ОБ
f
g
21
––––––––––––––
g
н
(1+g
11
R
б
)+g
22
g
21
–––––––
1+g
11
R
б
g
22
––––––––––––––
1+g
21
R
э
+g
11
R
б
g
22
––––––––––––––––––
1+g
11
(R
б
+R
с
)+g
21
R
э
В случаях, когда комплексным характером параметров транзистора или
двухполюсника Z
f
пренебречь нельзя, соотношения (14), (15) и (16) остаются в
силе, за исключением того, что все или часть значений приобретают
комплексный характер (например, на частотах f≥f
S
вместо g-параметров
транзистора следует использовать его Y-параметры).
Вычисление значения нестабильности ∆I
к
коллекторного тока
В схеме рис. 10 преобразование напряжения ∆U
бэ
в ток ∆I
1
осуществляются по схеме OБf, так как источник этого напряжения подключен к
эмиттерному выводу транзистора, а выходной потенциал ∆U
1
рассматривается в
коллекторной цепи в условиях, когда внешняя по отношению к базовому
выводу транзистора цепь может иметь ненулевое сопротивление R
f
=R
б
. Так, для
схем рис.4,б и рис.4,в R
б
=R
1
||R
2
. В соответствии со сказанным
∆I
1
=∆U
1
/R
к
=∆U
бэ
К
вхц
К
об
f
/R
к
, (17)
где К
вхц
=∆U
б0
/∆U
вх
– коэффициент передачи входной цепи схемы OБ
f
. Значение
этого коэффициента передачи определяется соотношением
К
вхц
=R
вхоб
f
/(R
вхоб
f
+R
э
), (18)

Страницы