Аналоговая схемотехника. Схемотехническое проектирование усилителя импульсных сигналов. Павлов В.Н. - 24 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СПбГЭТУ «ЛЭТИ» | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

24
где R
вхоб
f
=1/g
вхоб
f
– входное сопротивление схемы OБ
f
. Согласно данным табл.3
g
вхоб
f
=g
21
/(1+g
11
R
б
). После подстановки (18) в (17) получаем
∆I
1
=∆U
бэ
g
21
/(1+g
21
R
э
+g
11
R
б
). (19)
В схеме рис. 10 влияние нестабильности ∆β охарактеризовано с помощью
источника тока ∆βI
б0
. Искомый результат преобразования тока этого источника
в ток ∆I
2
определяется как непосредственным его проникновением в
коллекторную цепь каскада (в узел "а" схемы рис.10), так и его воздействием на
эмиттерную цепь транзистора. Этот ток участвует в создании напряжения ∆U
вх
,
которое, в свою очередь, преобразуется в напряжение ∆U
2
в соответствии c уже
рассмотренными ранее принципами и соотношениями (14) и (18) и
передаточными свойствами схемы OБ
f
. В результате
∆I
2
=∆βI
б0
(1+g
11
R
б
)/(1+g
21
R
э
+g
11
R
б
). (20)
Из (19) и (20) следует, что
∆I
к
=[∆U
бэ
g
21
+∆βI
б0
(1+g
11
R
б
)]/(1+g
21
R
э
+g
11
R
б
). (21)
В двухтранзиcторном каскаде на змиттерно-связанных транзисторах,
помимо уже рассмотренных источников нестабильности ∆U
бэ
и ∆β,
существенную роль в образовании ∆I
к
играет несогласованность транзисторов
по номинальному напряжению U
бэ0
. Эта несогласованность ∆U'
бэ
, хотя и имеет
значение, примерно на порядок меньшее, чем неопределенность ∆U
бэ
номинального напряжения U
бэ0
(∆U'
бэ
≈0,01∆U
бэ
), но она способна создать
заметные дополнительные отклонения тока I
к0
от его предполагаемого
номинального значения. В результате этого в схеме на эмиттерно-связанных
транзисторах
∆I
к
=∆βI
б0
[(1+2g
11
R
б
)/(1/2+g
21
R
э
+g
11
R
б
)]+∆U'
бэ
[(1+g
11
R
б
)g
21/
(1+2g
11
R
б
)].(22)
Нестабильность ∆I
к0
в двухтранзисторном каскаде ОЭ-ОБ с
последовательным питанием практически определяется только
нестабильнистью каскада ОЭ, поэтому она может быть вычислена в
соответствии с (21).
Следует отметить, что в многокаскадных схемах с непосредственными
межкаскадными связями наибольший уровень нестабильности положения ИРТ
обычно наблюдается в оконечном каскаде. Данное обстоятельство объясняется
тем, в оконечном каскаде, помимо собственных внутрикаскадных
неотабильностей, действуют и нестабильности ему предшествующих каскадов.
В результате этого в оконечном каскаде трехкаскадного усилителя общее
отклонения ∆I
к3Σ
тока ∆I
к03
от прогнозируемого значения может быть оценено
по формуле
∆I
к3Σ
=∆I
к3
+∆I
к3.2
+∆I
к3.1
, (23)
где ∆I
к3
– изменения тока I
к03
вследствие воздействия собственных
внутрикаскадных дестабилизирующих факторов рассматриваемого третьего
каскада; ∆I
к3.2
, ∆I
к3.1
– изменения тока I
к03
в рассматриваемом третьем каскаде,
возникающие вследствие нестабильности второго и первого каскадов. Значение
∆I
к3
определяют (21) и(22), а
∆I
к3.2
=∆I
к2
R
н2
K
3
/R
н3
; ∆I
к3.1
=∆I
к2
R
н1
K
2
K
3
/R
н3
, (24)
где R
н1
, R
н2
, R
н3
– полное сопротивление нагрузки соответственно в третьем,
втором и первом каскадах; K
3
– коэффициент передачи по напряжению от точки
подключения нагрузки R
н2
до точки подключения нагрузки R
н3
; K
2
–
коэффициент передачи по напряжению от точки подключения нагрузки R
н1
до
точки подключения нагрузки R
н2
.

Страницы