Составители:
Рубрика:
25
Рекомендуемый порядок выполнения этапа V
1. Определить с помощью (5) исходные значения нестабильностей ∆U
бэ
и
∆β входящих в эквивалентную схему рис.10.
2. Вычислить для каждого каскада собственные нестабильности ∆I
к01
,
∆I
к02
, ∆I
к03
коллекторных токов I
к01
, I
к02
, I
к03
. Вычисления осуществить в
соответствии с (21) и (22) и эквивалентной схемой рис.10.
При вычислениях значений параметров R
б
и R
к
используйте данные табл.3
о входных и выходных сопротивлениях каскадов.
Так, например, в схеме рис.б в роли R
б2
в каскаде на транзисторе VT
2
выступает параллельное соединение резистора R
к1
и выходного сопротивления
R
выхоэ
f
каскада на VT
1
, включенного по схеме ОЭf. При этом согласно табл.3
R
выхоэ
f
= (1+g
21
R
э1
)/g
22
.
В этой же схеме в роли R
б3
в каскаде на транзисторе VT
3
выступает
параллельное соединение резистора R
э2
и выходного сопротивления каскада ОК.
Выходное сопротивление этого каскада совпадает со входным сопротивление
схемы ОБ, которое с учетом незаземленности базы (в роли двухполюсника R
f
в
этой схеме выступает сопротивление R
б2
) согласно данным табл.З определяется
соотношением R
выхок
=R
вхоб
f
=(1+g
11
R
б2
)/g
21
.
3. Определить с помощью (23) искомое значение ∆I
к3Σ
. В ходе промежу-
точных вычислений, проводимых в соответствии с (24), воспользуйтесь
данными табл.З. Принципы вычисления коэффициентов К3 и К2
проиллюстрируем на примере схемы рис.5. Для нее
K
3
=K
ок
f
≈ K
ок
=g
21
R
н3
/(1+g
21
R
н3
);
K
2
=K
ок
f
≈ K
ок
=g
21
R
н2
/(1+g
21
R
н2
),
где R
н3
=R
э3
, R
н2
=R
э2
||R
вхок
, R
вхок
=1+g
21
R
э3
.
Мероприятия по снижению влияния источников нестабильности
(этап VI)
Одним из уже рассмотренных ранее мероприятий, реализация которого
приводит к некоторому снижению ∆I
к
является включение в цепь
токозадающего потенциала U
0
прямосмещенного термокомпесирующего диода
(рис.9). При наличии такого диода значение напряжения ∆U
бэT
, косвенно
входящего в (21) и (22), можно уменьшить на порядок. При расчете значений
сопротивлений токозадающих цепей следует учитывать, что включение в
базовую цепь прямосмещеного диода вызывает понижение потенциала
эмиттера приблизительно на 0,7 В. Вследствие этого после введения в схему
указанного диода значение эмиттерного сопротивления должно быть
соответственно уменьшено.
В многокаскадных усилительных трактах с непосредственными связями
широко используется принцип стабилизации режимов работы тракта в целом
путем его охвата цепью общей ООС. Введение в схему такой обратной связи
(ОС) уменьшает влияние дестабилизирующих факторов и разброса
характеристик транзисторов на режимы работы каскадов на постоянном токе.
При этом указанное стабилизирующее воздействие ООС оказывается на все
каскады, охваченные петлей обратной связи.
Объяснятся это тем, что отличия ∆I
0
и ∆U
0
от номинальных значений
токов I
0
(токов I
к0
и I
э0
) и потенциалов U
0
(потенциалов U
к0
и U
э0
) в
коллекторно-эмиттерных цепях каскадов могут быть представлены в виде
эквивалентных источников сигнального тока или напряжения. Например,
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 23
- 24
- 25
- 26
- 27
- …
- следующая ›
- последняя »
