Составители:
Рубрика:
34
Из (32) следует, что модуль крутизны биполярного транзистора на
высоких частотах меньше своего низкочастотного значения g
21
. Таким образом,
в области ВЧ транзистор обладает пониженной эффективностью
преобразования входных сигнальных потенциалов в выходные сигнальные
токи. На частоте f=f
S
происходит уменьшение g
21
до значения g
21
/(2)
1/2
раз.
Поэтому частоту f
S
нааывают граничной частотой транзистора по крутизне.
В cправочной литературе данные о f
S
приводятся редко. Обычно
частотные свойства транзистора характеризуют значением h
21э
'(f'') модуля
коэффициента усиления по току в схеме ОЭ на частоте f''. С помощью этих
данных можно определить значение граничной частоты по крутизне, используя
следующее приближенное соотношение:
f
S
≈0,026f''h
21э
(f'')/(r
б
I
к
). (37)
Включение в эмиттерную цепь транзистора дополнительного резистора R
f
,
т.е. переход от схемы включения ОЭ к схеме ОЭ
f
снижает влияние
инерционности τ транзистора как на частотную зависимость его крутизны, так и
на реактивные составляющие его входной и выходной проводимостей. При этом
крутизна и граничная частота по крутизне эквивалентного транзистора
соответственно
g
21
f
=g
21
/(1+g
21
R
f
); f
Sf
=f
S
(1+g
21
R
f
). (38)
Сравнение параметров g
21
f
и f
Sf
с соответствующими им g
21
и f
S
показывает,
что включение в состав транзистора дополнительного резистора R
f
вызывает
снижение крутизны транзистора в (1+g
21
R
f
) раз, при этом в такое же число раз
увеличивается граничная частота транзистора. Следует отметить, что
включение сопротивления R
f
в состав каскада ОЭ уменьшает влияние как
резистивной, так и емкостной составляющих входной и выходной
проводимостей транзистора.
Значение спада ε
S
(f) зависит не только от типа транзистора (от его
граничной частоты f
S
), но и от схемы его включения, и, в первую очередь, от
того, какое сопротивление R
f
присутствует в цепи его эмиттера. Каскад ОК
обычно работает в условиях, когда в роли сопротивления R
f
выступает
относительно большое сопротивление нагрузки. В связи с этим в соответствии с
(36) при рассмотрении общего спада НАЧХ влиянием инерционности
транзисторов в каскадах ОК обычно пренебрегают, принимая значение ε
S
(f) в
этих каскадах равным нулю. Таким образом, считают, что ненулевые значения
ε
S
(f) могут иметь только каскады ОЭ и ОБ.
Для того чтобы спад АЧХ в каскадах ОЭ и ОБ в области ВЧ вследствие
инерционности транзистора не превышал величины ε
S
(f), необходимо, чтобы
транзистор обладал граничной частотой:
f
S
≥f/(1+g
21
R
f
)[2ε
S
(f)]
2
.
Анализ шунтирующего влияния паразитной емкости С
п
На высоких частотах проводимости паразитных емкостей С
п
становятся
большими, соизмеримыми с резистивными составляющими g
экв
шунтируемых
цепей. Вследствие этого эффективность преобразования выходных токов
транзисторов в выходные сигнальные напряжения на высоких частотах
оказывается заниженной и частотно зависимой. Частотная характеристика
полной проводимости Y
н
цепи, состоящей из двух параллельно включенных
ветвей, одна из которых является резистивной проводимостью g
экв
, а другая –
конденсатором с емкостью С
п
определяется соотношением
,)/(1)(1
22
срэквнэквн
ffggY +=ωτ+=
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 32
- 33
- 34
- 35
- 36
- …
- следующая ›
- последняя »
