Составители:
Рубрика:
35
где τ
н
=C
п
/g
экв
– постоянная времени цепи, преобразующей сигнальные токи в
напряжения; f
ср
=1/(2πτ
н
) – частота среза эквивалентного фильтра.
Преобразование ток-напряжение, осуществляемое с помощью проводимости Y
н
,
эквивалентно прохождению сигнала через фильтр нижних частот c НАЧХ вида
(34). Из этого соотношения следует, что шунтирующее влияние паразитной
емкости C
п
на выходную цепь каскада накладывает ограничения на выбор
значения проводимости g
экв
и, соответственно, на предельно достижимое
значение коэффициента усиления. При этом, для того чтобы в резистивном
каскаде спад АЧХ на частоте f не превосходил значения ε
н
(f), необходимо
согласно (35), чтобы общая резистивная составляющая этой проводимости
g
экв
была не менее, чем
g
экв
≥2πfС
п
/[2ε
S
(f)]
1/2
. (39)
Следует отметить, что не все инерционные звенья усилительного тракта
вносят заметный спад в его НАЧХ. Так, частотные искажения во входной цепи
и, соответственно, заметный спад ε
вх
(f) наблюдается только при работе
усилительного тракта от источника сигнала с ненулевым выходным
сопротивлением R
с
. Спад ε
вх
(f) НАЧХ входной цепи на частоте f при этом имеет
вид
(40)
где τ
вх
– постоянная времени входной цепи; f
вх
=1/(2πτ
вх
) – частота среза ФНЧ,
образованного входной емкостью С
вх
усилительного тракта и шунтирующей ее
проводимостью g
экв
.
Проводимость g
экв
должна включать в себя не только входную
проводимость собственно транзистора (см. табл.3), но и всех ветвей схемы,
подключенных ко входному эажиму транзистора. Так, например, в схеме рис.9,
в которой питание базовой цепи осуществляется от делителя напряжения R
1
, R
2
g
экв
=g
вх
+1/R
1
+1/R
2
+1/R
с
,
где R
с
– сопротивление источника сигнала.
Полная паразитная емкость, шунтирующая выход N-го каскада или
участка цепи,
C
п
N
=C
вых
N
+С
вх(
N
+1)
+C
M
, (41)
где C
вых
N
– выходная емкость N-го каскада или участка цепи; С
вх(
N
+1)
– входная
емкость каскада или цепи, непосредственно следующих за N-м каскадом или
участком цепи; С
M
– паразитная емкость монтажа. Проводимость g
экв
N-го
каскада или участка цепи
g
экв
N
=g
вых
N
+g
вх(
N
+1)
+g*
н
, (42)
где g
вых
N
– выходная активная проводимость N-го каскада или участка цепи;
g
вх(
N
+1)
– входная активная проводимость каскада или цепи, непосредственно
следующих за N-м каскадом или участком цепи; g
н
– проводимость резистора,
выступающего в роли основного двухполюсника в цепи нагрузки. В каскадах
ОЭ и ОБ g*
н
=1/R
к
, а в каскаде OK g*
н
=1/R
э
.
Значение входной и выходной емкостей транзистора при различных
схемах его включения в каскаде может быть оценено с помощью формул:
– для схемы ОЭ
f
(рис.12,а)
С
вх
≈ 1/(2πf
S
r
б
F
оэ
+С
к
(1+K
оэ
f
); (43)
С
вых
≈С
к
[1+(r
б
+R
с
)g
21
]/F
оэ,
(43а)
– для схемы ОК (рис.11,б)
С
вх
≈(1-K
ок
)/2πf
S
r
б
+С
к
, (436)
– для схемы OB
f
(рис. 12,в)
,2)()/(111)(1)(
22
вхвхвхвх
fffffMf
≈+−=−=ε
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 33
- 34
- 35
- 36
- 37
- …
- следующая ›
- последняя »
