Составители:
Рубрика:
37
4. Оценить в соответствии с (31) общий спад ε
S
Σ
, возникающий в тракте
вследствие инерционных свойств транзисторов.
5. Определить каскады и звенья усилительного тракта, в которых
паразитные емкости Cn оказывают заметное шунтирующее влияние. Вычислить
значения паразитных емкостей в этих каскадах. Вычисления осуществить в
соответствии с соотношением (41) с подстановкой в него найденных с помощью
(43) значений емкостей С
вх
и С
вых
. При вычислениях в первом приближении
считать, чтс С
М
≈1...3 пФ, K
оэ
≈5...10, K
ок
≈0,95...0,98, F
оэ
=2, R
f
=(F
оэ
-1)/g
21
.
6. Оценить значение спада ε
вх
НАЧХ входной цепи на частоте f
в0,7
. Оценку
осуществить с помощью (40). В случае, если найденное значение ε
вх
>0,1...0,15,
необходимо в состав усилительного тракта (на его входе) ввести
дополнительный каскад ОК. Включение на входе тракта каскада ОК снизит его
входную емкость, что обусловит уменьшение спада ε
вх
до приемлемых
значений.
7. Определить допустимое значение спада ε
нΣ
на основании (33) и (36),
считая, что ε
Σ
=0,3: ε
нΣ
=0,3-ε
S
Σ
-ε
вх
, где ε
S
Σ
, ε
вх
– значения спадов, определенных в
п.4 и п.6 соответственно.
8. Распределить общие допустимые искажения ε
нΣ
между звеньями,
влияющими на ход НАЧХ. При этом целесообразно большую (в полтора-два
раза) часть из допустимых искажений выделить на оконечные звенья (на звенья,
в которых сигнальные напряжения достигают амплитуды Uм).
9. Определить в соответствии с выделенными в предыдущем пункте
допустимыми искажениями, приходящимися на каждое фильтрующее звено,
предельно допустимые значения проводимостей g
экв
коллекторных цепей в этих
звеньях. Решение осуществить с помощью соотношения (39) для частоты f=f
в0,7
,
найденной в ходе вычислений по п.1.
10. Вычислить предельно допустимые значения сопротивлений R*
к
,
стоящих в коллекторных цепях рассматриваемых каскадов и выступающих в
роли основных элементов общей проводимости g
экв
. Вычисления для каждого
(N-гo) каскада осуществить в соответствии с вытекающей из (42) формулой
1/R*
к
=g
экв
-g
вых
N
-g
вх(
N
+1)
.
Обычно значение сопротивления R*
к
оказывается меньше, чем
сопротивление R
к
, требуемое из условия обеспечения
режима работы последующего каскада на постоянном
токе. В этом случае сопротивление R
к
реализуют с
помощью двух последовательно включенных
сопротивлений R*
к
и R*
к2
, удовлетворяющих условию
R*
к
+R*
к2
=R
к
. При этом для того, чтобы в роли нагрузки
выступал только резистор R*
к
, в состав схемы вводят
дополнительный блокирующий конденсатор С
б
, как
показано на рис.23.
10*. Оценить значения амплитуд сигнальных
токов, наблю-даемых в коллекторно-эмиттерных цепях
эмиттерно связанных транзисторов, для схем рис.6 и
рис.20 в случаях их использования в оконечных звеньях
тракта. Оценку осуществить по формуле
I
M
=U
M
g
экв
.
Сопоставить найденное значение I
M
с ранее
выбранным на этапе III током I
к0
. Учесть, что работа
указанных схем основана на перераспределении под действием входного
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 35
- 36
- 37
- 38
- 39
- …
- следующая ›
- последняя »
