Составители:
Рубрика:
36
С
вых
≈С
к
[1+(r
б
+R
б
)g
21
],
где R
б
– общее резистивное сопротивление цепи, включенное между базовым
выводом транзистора и точкой нулевого потенциала. При наличии этого
сопротивления выходная емкость каскада ОБ имеет повышенное значение, в
связи с этим сопротивление R
б
шунтируют блокирующей емкостью. При этом
С
вых
≈С
к
(1+r
б
g
21
).
(43в)
В состав выражений (43) не включены данные о выходной емкости схемы
ОК , так как при этом включении транзистора активная составляющая g
выхок
его
выходной проводимости настолько большая, что паразитная емкость не может
оказать на сигнальные цепи какого-либо заметного шунтирующего влияния. По
аналогичным соображениям в (43) не включены данные о входной емкости
схемы ОБ, у которой входная проводимость такая же, как как выходная
проводимость у схемы ОК.
Обычно анализ передаточных свойств многокаскадных трактов
осуществляют в последовательности: от выходного каскада к входному. При
этом предполагается, что источник входного напряжения в каждом каскаде
непосредственно подключен к его входу. Источник напряжения является цепью
с нулевым выходным сопротивлением (R
c
=0). По указанным причинам
вычисление значений входящих в (41) емкостей С
вых
должно осуществляться в
условиях, соответствующих накоротко замкнутым входным зажимам (R
c
=0)
рассматриваемого N-го каскада.
При рассмотрении влияния паразитных емкостей на свойства каскадов
следует учитывать, что оно во многом зависит от значения проводимостей g
экв
которые они шунтируют. Так, например, в трехкаскадном усилительном тракте
со структурой ОЭ-ОК-ОЭ и схемным построением рис.5 и рис.19 только
емкости С
вх
, С
п1
и C
п3
могут оказать заметное влияние на спад НАЧХ (здесь и в
дальнейшем числовой индекс у емкости С
п
указывает на номер каскада, к
которому она относится). Паразитная же емкость C
п2
в этой схеме подключена к
низкоомному выходу каскада ОК. Поэтому ее влиянием на ход НАЧХ можно не
пренебречь. В схемах рис.6 и рис.20 заметное влияние на ход НАЧХ могут
оказать емкости C
вх
и С
п2
, а в схемах рис.7 и рис.21 – C
вх
, С
п2
и С
п3
.
Рекомендуемый порядок выполнения этапа VII
Основный критерием приемлемости сопротивлений нагрузки является тот
факт, что общий спад ε
Σ
НАЧХ на граничной частоте f
в0,7
, определенной в
соответствии с (29), удовлетворяет условию ε
Σ
≤0,3, где согласно (36) ε
Σ
=ε
Σ
S
+ε
Σн
.
Расчеты по этапу VII рекомендуется выполнять в следующей
последовательности.
1. Определить для заданного t
н
требуемое значение граничной частоты f
в0,7
с помощью (29).
2. Вычислить значение граничных частот f
S
и f
Sf
в соответствии c (37) и
(38). При вычислениях необходимо учесть, что в целях обеспечения
стабильности и определенности параметров транзистора рекомендовано в
каскадах ОЭ ввести ООС глубиной F
оэ
=2, где F
оэ
=1+g
21
R
f
.
3. Определить значение спадов ε
S
, возникающих в каскадах ОЭ и ОB на
частоте f
в0,7
. Вычисления осуществить в соответствии с (33), используя при этом
найденные в предыдущем пункте значения f
Sf
для каскадов ОЭ при F
оэ
=2 и f
S
для
каскадов ОБ.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 34
- 35
- 36
- 37
- 38
- …
- следующая ›
- последняя »
