ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
6
Единичная грань
Единичная грань отсекает на координатных осях отрезки
(линейные параметры), принятые за единичные измерения.
Грань общего положения отсекает на осях отрезки разной
длины непропорциональные единичным (рисунок 3).
Рисунок 3 - Единичная грань а
0
в
0
с
0
и грань общего положения авс.
Правила выбора единичной грани кристалла:
• a
o
=b
o
=c
o.
Для кубических кристаллов высшей
категории единичная грань по всем осям имеет
равные линейные параметры.
• a
o
=b
o
≠
c
o
. Для кристаллов средней категории
(тригональные, тетрагональные, гексагональные
сингонии) единичная грань должна отсекать по
горизонтальным осям одинаковые отрезки, а по оси Z
- неравный (по оси Z свой масштаб измерения).
• (a
o
≠
b
o
≠
c
o
). Для кристаллов низшей категории
(ромбических, моноклинных и триклинных)
линейные параметры единичной грани по всем осям
имеют свой масштаб измерения.
11
Рисунок 5 - Определение параметров и символов граней
в четырехосной установке.
После полного определения символов всех гранных,
реберных и вершинных форм кристалла результаты следует для
проверки представить преподавателю. Если эти определения
правильны, можно приступить к работе над следующими
кристаллами в вашем задании.
После завершения всех определений табличный отчет о
работе представляется для проверки и последующей защиты.
При защите работы студент должен показать знание
теории и умение использовать ее практически.
Предполагаемые вопросы на защите
1. Что называется установкой кристалла?
2. Когда используется трехосная иди четырехосная
установки?
3. Назовите правила выбора координатных осей.
