ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
−−=
−
θ
πθ
θ
erfc
е
i
i
пр
обр
, (16)
где i
пр
- прямой ток диода , θ=t/τ
p
- относительное время,
()
∫
−
−=
θ
ξ
ξ
π
θ
0
2
2
1 deerfc
- дополнительная функция ошибок.
Для двух предельных случаев из уравнения (16) получим:
πθ
1
−≈
пр
обр
i
i
;θ<<1; (17)
πθθ
θ
2
)exp(−
≈
пр
обр
i
i
; θ>>1. (18)
Из выражения (16) видно , что при t→0 i
обр
/i
пр
→∞.
Реально величина выброса
обратного тока ограничивается
сопротивлением цепи и имеет конечное
значение. Осциллограмма тока диода в
случае малого сопротивления R дана
на рис. 4б.
Проанализируем качественно
поведение концентрации дырок в базе
диода. Как уже отмечалось , в момент
подачи импульса обратного
напряжения концентрация дырок на
границе запорного слоя становится
равной нулю . В глубине базы
концентрация остается повышенной.
Поэтому вблизи запорного слоя
создается градиент концентрации
дырок (рис. 5), определяющий
обратный ток через p-n-переход . С
течением времени уменьшается
концентрация дырок , убывает
градиент концентрации dp/dx и ток
E
обр
E
пр
I
пр
I
обр
I
пр
I
обр
t
t
Рис 4. Временные диаграммы:
а) импульса ЭДС;
б) тока диода при малом внешнем
сопротивлении;
в) тока диода при большом внешнем
сопротивлении.
а)
б)
в)
t
и
t
и
t
и
iо б р е−θ
= − − erfc θ , (16)
iп р πθ
где iп р - пр ямо й то к ди о да , θ=t/τp- о тно си те льно е вр е мя,
θ
( )
erfc θ = 1 −
2
π
∫ e −ξ dξ - до по лни те льна я функци я о ш и б о к.
2
0
Д ля двух пр е де льных случа е в и з ур а вне ни я (16) по лучи м:
iо б р 1
≈− ;θ<<1; (17)
iп р πθ
iо б р exp(−θ )
≈ ; θ>>1. (18)
iп р 2θ πθ
И з выр а ж е ни я (16) ви дно , что пр и t→0 iо б р /iп р →∞.
Р еал ь но вел ичина выброса
обратного ток а ограничивается
Eпр
сопротивл ением ц епи и им еет к онечное
tи значение. О сц ил л ограм м а ток а д иод а в
сл учае м ал ого сопротивл ения R д ана
Eо б р
на рис. 4б
.
а)
П роанал изируем к ачественно
Iпр повед ение к онц ентрац ии д ырок в базе
д иод а. К ак уж е отм ечал ось , в м ом ент
tи под ачи им пул ь са обратного
t
напряж ения к онц ентрац ия д ырок на
Iо б р
границ е запорного сл оя становится
б) равной нул ю . В гл убине базы
Iпр к онц ентрац ия остается повыш енной.
П оэ том у вбл изи запорного сл оя
созд ается град иент к онц ентрац ии
tи
t д ырок (рис. 5), опред ел яю щ ий
Iо б р обратный ток через p-n-переход . С
в)
течением врем ени ум ень ш ается
к онц ентрац ия д ырок , убывает
Ри с 4. В р е ме нные ди а гр а ммы:
а ) и мпульса ЭД С; град иент к онц ентрац ии dp/dx и ток
б ) то ка ди о да пр и ма ло м вне ш не м
со пр о ти вле ни и ;
в) то ка ди о да пр и б о льш о м вне ш не м
со пр о ти вле ни и .
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- …
- следующая ›
- последняя »
