ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
где плотности дырочного и электронного токов при малых уровнях инжекции
(p(x)/N
d
<1, n(x)/N
a
<1) имеют вид:
E
c
E
c
E
v
E
v
E
i
E
i
E
t
E
t
p
n
1
2
3
1
Cu
q(-V)
ϕ
k
q(-V)
ϕ
k
-d
p
-d
p
d
n
d
n
0
0
x
x
-x
p
x
n
x
n
-x
p
2
1
1´
1
2
Cu
Cu
Рис. 1. Механизмы токопереноса в диодах с p-n-переходом: а ) при прямом
смещении (V>0); 1 - инжекция электронов и дырок, 2, 3 - рекомбинация
электронов и дырок через примесный атом (Cu) внутри p-n-перехода
(-xp<x<xn); б ) при обратном смещении (V<0); 1,2 - тепловая генерация пар
через глубокие центры (атомы Cu) в толще p и n-областей, 1, 2- тепловая
генерация пар внутри p-n-перехода .
´´
а)
2´
Cu
б )
+
-
p
n
-
+
1
p n
Ec
q(ϕk-V)
Et 2
Ei Cu
+ -
3
Ev
1
-dp -xp 0 xn dn x
а)
p n
Ec
2
Et Cu
q(ϕk-V)
Ei
1
2´ 2
Ev Cu Cu
- +
1´ 1
-dp -xp 0 xn dn x
б)
Ри с. 1. М е ха ни змыто ко пе р е но са в ди о да х с p-n-пе р е хо до м: а ) пр и пр ямо м
сме щ е ни и (V>0); 1 - и нж е кци я эле ктр о но в и дыр о к, 2, 3 - р е ко мб и на ци я
эле ктр о но в и дыр о к че р е з пр и ме сный а то м (Cu) внутр и p-n-пе р е хо да
(-xpСтраницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- …
- следующая ›
- последняя »
