Диодные структуры. Петров Б.К - 4 стр.

UptoLike

Составители: 

где плотности дырочного и электронного токов при малых уровнях инжекции
(p(x)/N
d
<1, n(x)/N
a
<1) имеют вид:
E
c
E
c
E
v
E
v
E
i
E
i
E
t
E
t
p
n
1
2
3
1
Cu
q(-V)
ϕ
k
q(-V)
ϕ
k
-d
p
-d
p
d
n
d
n
0
0
x
x
-x
p
x
n
x
n
-x
p
2
1
1´
1
2
Cu
Рис. 1. Механизмы токопереноса в диодах с p-n-переходом: а ) при прямом
смещении (V>0); 1 - инжекция электронов и дырок, 2, 3 - рекомбинация
электронов и дырок через примесный атом (Cu) внутри p-n-перехода
(-xp<x<xn); б ) при обратном смещении (V<0); 1,2 - тепловая генерация пар
через глубокие центры (атомы Cu) в толще p и n-областей, 1, 2- тепловая
генерация пар внутри p-n-перехода .
´´
а)
2´
Cu
б )
+
-
p
n
-
+
                                              1
                   p                                              n
        Ec
                                                              q(ϕk-V)
       Et                           2
       Ei                                    Cu

   +                                                                        -
                                    3
       Ev



                                              1

             -dp                -xp      0        xn                   dn       x

                                        а)
               p                                              n
       Ec
                   2
       Et              Cu
                                                                  q(ϕk-V)
       Ei

                   1
                                                  2´       2
    Ev                                            Cu       Cu

   -                                                                        +
                                                  1´      1




             -dp              -xp       0        xn                   dn      x
                                       б)
Ри с. 1. М е ха ни змыто ко пе р е но са в ди о да х с p-n-пе р е хо до м: а ) пр и пр ямо м
сме щ е ни и (V>0); 1 - и нж е кци я эле ктр о но в и дыр о к, 2, 3 - р е ко мб и на ци я
эле ктр о но в и дыр о к че р е з пр и ме сный а то м (Cu) внутр и p-n-пе р е хо да
(-xp