ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
При прямом смещении к диффузионному току добавляется
рекомбинационный ток, при этом полный ток приближенно равен [1,2]:
,
2
exp
2
)(
exp
2
pnitth
D
i
p
p
пр
S
kT
qV
nNv
VqW
kT
qV
N
n
D
qI
+
= σ
τ
(7)
где N
t
– концентрация глубоких центров, σ - сечение захвата этими центрами
электронов и дырок с тепловой скоростью ν
th
.
Экспериментальные результаты в общем случае можно описать следующим
выражением:
≈
nkT
qV
AI
пр
exp , (8)
где коэффициент n=2, если преобладает рекомбинационный ток, и n=1, если
преобладает диффузионный ток. Если оба тока сравнимы по величине , то n лежит
между 1 и 2 (рис. 2).
При высоком уровне инжекции, когда плотность инжектированных
неосновных носителей сравнима с концентрацией основных носителей,
необходимо учитывать дрейфовую и диффузионную составляющие тока . В этом
случае концентрации носителей на границе перехода в n-области приблизительно
равны (n≅p), и зависимость тока от приложенного напряжения пропорциональна
exp(qV/2kT). Необходимо учитывать также эффект, обусловленный конечной
величиной сопротивления квазинейтральных областей вблизи перехода . На этом
сопротивлении падает большая часть напряжения, приложенного к диоду.
Влияние последовательного сопротивления существенно уменьшается при
использовании материалов с эпитаксиальными слоями .
При большом обратном смещении на p-n-переходе , которое создает в нем
большое электрическое поле , происходит пробой p-n-перехода . Существуют три
основных механизма пробоя: тепловая неустойчивость, туннельный эффект и
лавинное умножение.
Пробой, обусловленный тепловой неустойчивостью , определяет
электрическую прочность большинства изоляторов при комнатной температуре, а
также полупроводников с узкой запрещенной зоной, например в германии. В p-n-
переходе при обратном напряжении протекает обратный ток и выделяется
мощность, приводящая к повышению температуры. В свою очередь это вызывает
прирост обратного тока . При больших обратных напряжениях вследствие
теплового нагрева на характеристике возникает участок с отрицательным
дифференциальным сопротивлением. На этом участке диод выходит из строя,
если не принять специальных мер для ограничения тока . При очень низких
температурах тепловая неустойчивость становится несущественной по сравнению
с другими механизмами пробоя.
Когда электрическое поле в Ge или Si достигает 10
6
В /см, при узком p-n-
переходе (толщиной менее 0,1 мкм) начинают протекать большие токи ,
обусловленные туннельными переходами между зонами . В [2] показано , что
механизм пробоя в кремниевых и германиевых переходах обязан туннельному
П ри пр ямо м сме щ е ни и к ди ффузи о нно му то ку до б а вляе тся р е ко мб и на ци о нный то к, пр и это м по лный то к пр и б ли ж е нно р а ве н [1,2]: D p ni2 qV qW (V ) qV Iп р = q exp + σvth N t ni exp S pn , (7) τ p DN kT 2 2 kT где Nt – ко нце нтр а ци я глуб о ки х це нтр о в, σ - се че ни е за хва та эти ми це нтр а ми эле ктр о но в и дыр о к с те пло во й ско р о стью νth. Э кспе р и ме нта льные р е зульта тыв о б щ е м случа е мо ж но о пи са тьсле дую щ и м выр а ж е ни е м: qV I п р ≈ A exp , (8) nkT где ко эффи ци е нтn=2, е сли пр е о б ла да е тр е ко мб и на ци о нный то к, и n=1, е сли пр е о б ла да е тди ффузи о нный то к. Если о б а то ка ср а вни мыпо ве ли чи не , то n ле ж и т ме ж ду 1 и 2 (р и с. 2). П р и высо ко м ур о вне и нж е кци и , ко гда пло тно сть и нж е кти р о ва нных не о сно вных но си те ле й ср а вни ма с ко нце нтр а ци е й о сно вных но си те ле й, не о б хо ди мо учи тыва ть др е йфо вую и ди ффузи о нную со ста вляю щ и е то ка . В это м случа е ко нце нтр а ци и но си те ле й на гр а ни це пе р е хо да в n-о б ла сти пр и б ли зи те льно р а вны (n≅p), и за ви си мо сть то ка о тпр и ло ж е нно го на пр яж е ни я пр о по р ци о на льна exp(qV/2kT). Н е о б хо ди мо учи тыва ть та кж е эффе кт, о б усло вле нный ко не чно й ве ли чи но й со пр о ти вле ни я ква зи не йтр а льных о б ла сте й вб ли зи пе р е хо да . Н а это м со пр о ти вле ни и па да е т б о льш а я ча сть на пр яж е ни я, пр и ло ж е нно го к ди о ду. В ли яни е по сле до ва те льно го со пр о ти вле ни я сущ е стве нно уме ньш а е тся пр и и спо льзо ва ни и ма те р и а ло в с эпи та кси а льными сло ями . П р и б о льш о м о б р а тно м сме щ е ни и на p-n-пе р е хо де , ко то р о е со зда е т в не м б о льш о е эле ктр и че ско е по ле , пр о и схо ди т пр о б о й p-n-пе р е хо да . Сущ е ствую т тр и о сно вных ме ха ни зма пр о б о я: те пло ва я не усто йчи во сть, тунне льный эффе кт и ла ви нно е умно ж е ни е . П р о б о й, о б усло вле нный те пло во й не усто йчи во стью , о пр е де ляе т эле ктр и че скую пр о чно стьб о льш и нства и зо лято р о в пр и ко мна тно й те мпе р а тур е , а та кж е по лупр о во дни ко в с узко й за пр е щ е нно й зо но й, на пр и ме р в ге р ма ни и . В p-n- пе р е хо де пр и о б р а тно м на пр яж е ни и пр о те ка е т о б р а тный то к и выде ляе тся мо щ но сть, пр и во дящ а я к по выш е ни ю те мпе р а тур ы. В сво ю о че р е дьэто вызыва е т пр и р о ст о б р а тно го то ка . П р и б о льш и х о б р а тных на пр яж е ни ях всле дстви е те пло во го на гр е ва на ха р а кте р и сти ке во зни ка е т уча сто к с о тр и ца те льным ди ффе р е нци а льным со пр о ти вле ни е м. Н а это м уча стке ди о д выхо ди т и з стр о я, е сли не пр и нять спе ци а льных ме р для о гр а ни че ни я то ка . П р и о че нь ни зки х те мпе р а тур а х те пло ва я не усто йчи во стьста но ви тся не сущ е стве нно й по ср а вне ни ю с др уги ми ме ха ни зма ми пр о б о я. Ко гда эле ктр и че ско е по ле в Ge и ли Si до сти га е т 106 В /см, пр и узко м p-n- пе р е хо де (то лщ и но й ме не е 0,1 мкм) на чи на ю т пр о те ка ть б о льш и е то ки , о б усло вле нные тунне льными пе р е хо да ми ме ж ду зо на ми . В [2] по ка за но , что ме ха ни зм пр о б о я в кр е мни е вых и ге р ма ни е вых пе р е хо да х о б яза н тунне льно му
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- …
- следующая ›
- последняя »