Диодные структуры. Петров Б.К - 5 стр.

UptoLike

Составители: 

,/)()( dxxdpqDxj
pp
=
./)()( dxxdnqDxj
nn
=
(2)
С учетом граничных условий Шокли
→−
∞→
=−
=
p
p
p
n
n
n
pp
nn
n
d
dn
p
d
dp
kTqUnxn
kTqUpxp
)(
,)(
),/exp()(
),/exp()(
(3)
получаем
),1)/(exp(
=
kTqUII
S
(4)
где
).//(
npnpnppnS
LnDLpDqSI
+
=
(5)
В формулах (4) и (5) S
pn
площадь p-n-перехода ; D
p
, D
n
коэффициент
диффузии дырок в n-области и электронов в p-области соответственно ; p
n
=n
i
2
N
d
,
n
p
=n
i
2
/N
a
равновесные концентрации дырок в n-области и электронов в p-
области ; ,
ppp
DL τ =
nnn
DL τ = - диффузионные длины дырок со временем
жизни τ
p
в n-области
и электронов со временем жизни τ
n
в p-области .
Полученные выражения удовлетворительно описывают ВАХ германиевых
p-n-переходов при низких плотностях токов. Однако для p-n-переходов в кремнии
и арсениде галлия эта формула дает лишь качественное согласие с реальными
характеристиками . Основными причинами отклонения характеристики от
идеальной являются: 1) влияние поверхности ; 2) генерация и рекомбинация
носителей в обедненном слое; 3) высокий уровень инжекции (p(x)/N
a
>1,
n(x)/N
d
>1); 4) влияние последовательного сопротивления. Кроме того , под
действием достаточно большого электрического поля при обратном смещении
возникает пробой перехода .
Поверхность оказывает влияние на p-n-переход в основном за счет ионных
зарядов на ней или вблизи нее, которые индуцируют заряды в полупроводнике .
Это приводит к образованию так называемых поверхностных каналов или
поверхностных обедненных слоев.
Генерация носителей в p-n-переходе приводит к возрастанию обратного
тока в полупроводниках с низкой собственной концентрацией n
i
, а также к его
росту с увеличением напряжения:
pn
i
i
D
i
p
p
обр
S
VWqn
N
n
D
qI
+=
ττ
)(
2
, (6)
где I
R
полный обратный ток для p
+
-n-перехода , τ
p
эффективное время жизни
дырок в n-областии, τ
i
эффективное время жизни носителей внутри перехода, n
i
собственная концентрация носителей, N
d
концентрация доноров, W(V)
ширина обедненного слоя.
        j p ( x ) = −qD p dp ( x) / dx, jn ( x ) = qDn dn( x ) / dx.                      (2)
       С уче то м гр а ни чных усло ви й Ш о кли
        p( xn ) = pn exp( qU / kT ),
       n( − x ) = n exp(qU / kT ),
             p      p
       
        p (d n )           ≈ pn ,                                                        (3)
                  d n → ∞
       
        n(−d p ) − d → −∞ ≈ n p
                      p
       по луча е м
       I = I S (exp(qU / kT ) − 1),                                                       (4)
где I S = qS pn ( D p p n / L p + Dn n p / Ln ).                                          (5)
        В фо р мула х (4) и (5) Spn – пло щ а дь p-n-пе р е хо да ; Dp, Dn – ко эффи ци е нт
ди ффузи и дыр о к в n-о б ла сти и эле ктр о но в в p-о б ла сти со о тве тстве нно ; pn=ni2Nd,
np=ni2/Na – р а вно ве сные ко нце нтр а ци и дыр о к в n-о б ла сти и эле ктр о но в в p-
о б ла сти ; L p = D pτ p , Ln = Dnτ n - ди ффузи о нные дли ны дыр о к со вр е ме не м
ж и зни τp в n-о б ла сти и эле ктр о но в со вр е ме не м ж и зни τn в p-о б ла сти .
        П о луче нные выр а ж е ни я удо вле тво р и те льно о пи сыва ю т В АХ ге р ма ни е вых
p-n-пе р е хо до в пр и ни зки х пло тно стях то ко в. О дна ко для p-n-пе р е хо до в в кр е мни и
и а р се ни де га лли я эта фо р мула да е т ли ш ь ка че стве нно е со гла си е с р е а льными
ха р а кте р и сти ка ми . О сно вными пр и чи на ми о ткло не ни я ха р а кте р и сти ки о т
и де а льно й являю тся: 1) вли яни е по ве р хно сти ; 2) ге не р а ци я и р е ко мб и на ци я
но си те ле й в о б е дне нно м сло е ; 3) высо ки й ур о ве нь и нж е кци и (p(x)/Na>1,
n(x)/Nd>1); 4) вли яни е по сле до ва те льно го со пр о ти вле ни я. Кр о ме то го , по д
де йстви е м до ста то чно б о льш о го эле ктр и че ско го по ля пр и о б р а тно м сме щ е ни и
во зни ка е тпр о б о й пе р е хо да .
        П о ве р хно сть о ка зыва е твли яни е на p-n-пе р е хо д в о сно вно м за сче ти о нных
за р ядо в на не й и ли вб ли зи не е , ко то р ые и ндуци р ую т за р яды в по лупр о во дни ке .
Э то пр и во ди т к о б р а зо ва ни ю та к на зыва е мых по ве р хно стных ка на ло в и ли
по ве р хно стных о б е дне нных сло е в.
        Ге не р а ци я но си те ле й в p-n-пе р е хо де пр и во ди т к во зр а ста ни ю о б р а тно го
то ка в по лупр о во дни ка х с ни зко й со б стве нно й ко нце нтр а ци е й ni, а та кж е к е го
р о сту с уве ли че ни е м на пр яж е ни я:
                    D p ni2 qniW (V ) 
       Iо б р   = q        +           S pn ,                                           (6)
                    τ p ND     τi     
                                      
где IR –по лный о б р а тный то к для p+-n-пе р е хо да , τp –эффе кти вно е вр е мя ж и зни
дыр о к в n-о б ла сти и , τi –эффе кти вно е вр е мя ж и зни но си те ле й внутр и пе р е хо да , ni
–со б стве нна я ко нце нтр а ци я но си те ле й, Nd –ко нце нтр а ци я до но р о в, W(V) –
ш и р и на о б е дне нно го сло я.