ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
ЭИКТ ЭЛТИ
30
δ
ω
ω
cos
⋅
⋅
⋅
=⋅⋅==
sscc
CUCUJJ
(2.3)
Следовательно:
δ
δ
ωδδω
2
22
1
cossin
tg
tg
CUCU
sss
+
⋅⋅⋅=⋅⋅⋅⋅=Ρ
(2.4)
Для параллельной схемы имеем из рис.2.1.
б:
ppc
а
CRCUR
U
J
J
tg
⋅⋅
=
⋅⋅⋅
==
ωω
δ
1
(2.5)
Активная мощность в этом случае равна:
δωδ
tgCUtgJUJU
pcаp
⋅⋅⋅=⋅⋅=⋅=Ρ
2
(2.6)
Если у диэлектрика 1,0
<
δ
t
g
, то величиной
δ
2
tg в формуле (2.4)
можно пренебреч в сравнении с единицей, и тогда для обеих эквива-
лентных схем получаются одинаковые выражения:
δω
tgCU ⋅⋅⋅=Ρ
2
(2.7)
Ранее указывалось, если обе схемы эквивалентны друг другу, тогда
Р
s
=P
p
= P и
ps
tgtg
δ
δ
=
. Эти равенства дают возможность получить
формулы пересчета при переходе от параллельной схемы замещения к
последовательной и наоборот.
Приравняв уравнения (2.4) и (2.6), получим:
δ
2
1 tg
С
С
s
р
+
=
(2.8)
Для доброкачественных диэлектриков
CСС
sр
≈
≈
.
Равенство формул (2.1) и (2.5) дает:
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
+⋅=
δ
2
1
1
tg
rR
(2.9)
2.2. Расчет диэлектрических характеристик
неоднородных диэлектриков
Технические диэлектрические материалы в большинстве случаев
являются неоднородными диэлектриками, состоящими из разнородных
по электрическим свойствам частиц или слоев (миканиты, гетинакс,
текстолит, лакоткань, пенопласты и т.д.).
Для расчета диэлектрических потерь и диэлектрической прони-
цаемости сложной изоляции по характеристикам компонент пользуются
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 28
- 29
- 30
- 31
- 32
- …
- следующая ›
- последняя »