ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
60
разложением из смеси газов: моносилана SiH и метана СН
4
с добавками РН
5
и
ВН
3
. Продукты разложения газовой смеси осаждаются на подложку с
регулируемой температурой. Слои α -Si:H получают методом ионно-лучевого
распыления кластеров. Сущность метода заключается в электронно-лучевом
испарении кластеров, содержащих 10
2
- 10
4
атомов кремния от источника,
нагретого до 2200° С. Далее кластеры конденсируются через сопло и
ионизируются. Ускоряемые электростатически заряженные кластеры
бомбардируют подложку. Для наводороживания формируемого слоя процесс
происходит в атмосфере находящегося при низком давления газообразного
водорода. При этом связи Si-H образуются непосредственно на поверхности
роста слоя. С ростом давления уменьшается число остающихся "болтающихся"
связей, что ведет к росту оптической щели и росту удельного сопротивления
получаемого материала.
Распространенный метод получения пленок гидрогенизированного
аморфного кремния - это высокочастотное ионно-плазменное распыление
исходного кремния в атмосфере смеси аргона и водорода. Данный метод
применяется для создания аморфных слоев в интегральной кремниевой
технологии. Этот метод более безопасен по сравнению с разложением
моносилана, однако полученные пленки характеризуются большой
концентрацией локализованных состояний в запрещенной зоне, что приводит к
ухудшению электрических и оптических свойств.
Интересной для исследователей и практиков аморфной системой
являются металлосилицидные сплавы, получаемые методом конденсации на
относительно холодную подложку (до 600° К) в вакууме, либо с помощью
термического (взрывного) испарения, либо магнетронным распылением.
Пленки, получаемые таким образом на основе силицидов переходных металлов,
характеризуются широким диапазоном номиналов электросопротивления,
экстремально низким (до 10 Ом/К) температурным коэффициентом
сопротивления, высокой стабильностью и хорошими частотными
разложением из смеси газов: моносилана SiH и метана СН4 с добавками РН5 и ВН3 . Продукты разложения газовой смеси осаждаются на подложку с регулируемой температурой. Слои α -Si:H получают методом ионно-лучевого распыления кластеров. Сущность метода заключается в электронно-лучевом испарении кластеров, содержащих 102 - 104 атомов кремния от источника, нагретого до 2200° С. Далее кластеры конденсируются через сопло и ионизируются. Ускоряемые электростатически заряженные кластеры бомбардируют подложку. Для наводороживания формируемого слоя процесс происходит в атмосфере находящегося при низком давления газообразного водорода. При этом связи Si-H образуются непосредственно на поверхности роста слоя. С ростом давления уменьшается число остающихся "болтающихся" связей, что ведет к росту оптической щели и росту удельного сопротивления получаемого материала. Распространенный метод получения пленок гидрогенизированного аморфного кремния - это высокочастотное ионно-плазменное распыление исходного кремния в атмосфере смеси аргона и водорода. Данный метод применяется для создания аморфных слоев в интегральной кремниевой технологии. Этот метод более безопасен по сравнению с разложением моносилана, однако полученные пленки характеризуются большой концентрацией локализованных состояний в запрещенной зоне, что приводит к ухудшению электрических и оптических свойств. Интересной для исследователей и практиков аморфной системой являются металлосилицидные сплавы, получаемые методом конденсации на относительно холодную подложку (до 600° К) в вакууме, либо с помощью термического (взрывного) испарения, либо магнетронным распылением. Пленки, получаемые таким образом на основе силицидов переходных металлов, характеризуются широким диапазоном номиналов электросопротивления, экстремально низким (до 10 Ом/К) температурным коэффициентом сопротивления, высокой стабильностью и хорошими частотными 60
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 58
- 59
- 60
- 61
- 62
- …
- следующая ›
- последняя »