Структура и свойства неупорядоченных твердых тел. Петров А.Л - 62 стр.

      3.      Носители, находящиеся в локализованных состояниях вблизи
уровня      Ферми,     могут       совершать            туннельные        переходы,       причем     при
относительно низких температурах будут доминировать переходы на со-
стояния, наиболее близкие по энергии к начальному, не взирая на их возможно
большую удаленность, чем соседние, но имеющие отличную энергию. При
этом выражение для величины проводимости может быть записано в виде:
                                       s = s 2 exp[(T0 T )1 4 ]           (3.3)


                                   3.5. .Оптические свойства
      Край фундаментального поглощения света в аморфных и стеклообразных
полупроводниках имеет 3 участка. В области высоких значений коэффициента
поглощения a>104см-1, его зависимость от частоты: a = B(hn - E gon ) hn , где

B~105-106 см-1эВ-1, E gon -оптическая ширина запрещенной зоны. При 1см-1

< a <103-104см-1     a = a 0 e Ahn ,     где А=15-20 эВ-1. При a <1 см-1 поглощение
обусловлено дефектами структуры.
      В     большинстве           аморфных             и     стеклообразных            полупроводников
наблюдается значительная фотопроводимость s ф = ALn , где L - интенсивность

света; 0.5 £ n £ 1.0 . Спектральное распределение s ф имеет максимум и пологую

длинноволновую ветвь; зависимость s ф (T ) имеет максимум в той области T,

где s ф ~ s , а при понижении температуры s ф спадает вначале экспоненциально,

а   затем    более      полого.           Особенности s ф объясняются              "прилипанием"       и
рекомбинацией неравновесных носителей на локальных центрах, непрерывно
распределенных         по      энергии            по       определенному          (в    частности,    по
экспоненциальному) закону. В ХСП наблюдаются ряд специфических явлений,
например      уменьшение           люминесценции                  в   процессе     возбуждения,      что
коррелирует с явлениями фотоиндуцированного электронного парамагнитного
резонанса     (ЭПР)       и      фотоиндуцировованного                   поглощения        света.    Эти
особенности объясняются наличием заряженных дефектов, которые при
низкотемпературном освещении становятся нейтральными и парамагнитными.
                                                                                                      62