Структура и свойства неупорядоченных твердых тел. Петров А.Л - 61 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГУ | Иркутск

Составители: 

Рубрика: 

61
характеристиками, что до последнего времени делало их незаменимыми в СВЧ
технике.
Металлосилицидные соединения допускают значительное отклонение от
стехиометрии в сторону увеличения металлического компонента, что позволяет
существенно варьировать удельное поверхностное сопротивление слоев. Кроме
того, дисилицид хрома и сплавы на его основе имеют температурный переход
металл - полупроводник, подобный описанному ранее Моттом и Дэвисом.
Вопросом стабильности таких слоев является переход аморфный -
кристаллический слой, происходящий, как правило, при температуре порядка
400° К. Однако в случае больших электрических нагрузок возможен локальный
разогрев небольших областей, ведущий к кристаллизации и необратимому
изменению электрических характеристик.
3.4.Электропроводность.
В аморфных полупроводниках различают три механизма электро-
проводности.
1. Проводимость, связанная с носителями, возбуждаемыми в
нелокализованные (распространенные) состояния. Для дырочной проводимости
(а она доминирует в специально не легированных полупроводниках)
температурная зависимость будет выражаться так:
kT
EE
fc
e
)(
0
--
=
ss
(3.1)
2. Носители, возбуждаемые в локализованные состояния на краях
разрешенных зон, могут совершать перескоки, получая небольшую энергию
активации этого процесса. Здесь:
kTWEE
Bf
e
)(
1
+--
=
ss
(3.2)
где W - энергия активации перескоков, Е
В
- энергия края зоны. Величина
s
, по оценкам, в 10
2
- 10
4
раз меньше чем σ
0
.
характеристиками, что до последнего времени делало их незаменимыми в СВЧ
технике.
     Металлосилицидные соединения допускают значительное отклонение от
стехиометрии в сторону увеличения металлического компонента, что позволяет
существенно варьировать удельное поверхностное сопротивление слоев. Кроме
того, дисилицид хрома и сплавы на его основе имеют температурный переход
металл - полупроводник, подобный описанному ранее Моттом и Дэвисом.
Вопросом    стабильности    таких         слоев                является     переход   аморфный     -
кристаллический слой, происходящий, как правило, при температуре порядка
400° К. Однако в случае больших электрических нагрузок возможен локальный
разогрев небольших областей, ведущий к кристаллизации и необратимому
изменению электрических характеристик.


                        3.4.Электропроводность.

     В аморфных полупроводниках различают три механизма электро-
проводности.
     1.    Проводимость,     связанная                   с     носителями,        возбуждаемыми   в
нелокализованные (распространенные) состояния. Для дырочной проводимости
(а она доминирует в специально не легированных полупроводниках)
температурная зависимость будет выражаться так:
                                        - ( Ec - E f )

                            s = s 0e         kT
                                                                        (3.1)


     2.    Носители, возбуждаемые в локализованные состояния на краях
разрешенных зон, могут совершать перескоки, получая небольшую энергию
активации этого процесса. Здесь:
                                       - ( E f - E B +W ) kT
                            s = s 1e                                      (3.2)
     где W - энергия активации перескоков,                      ЕВ   - энергия края зоны. Величина
                   2    4
s , по оценкам, в 10 - 10 раз меньше чем σ0.



                                                                                                  61

Страницы