Транзисторы. Петров Б.К - 23 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

23
На рис. 3а и 3б изображены области объемного заряда при отсутствии
напряжения на стоке (U
си
=0), причем на рис. 3б показан случай отсечки канала
при большом напряжении на затворе. При стоковом напряжении, отличном от
нуля, ширина n+-p-перехода начинает зависеть от координаты вдоль длины
канала . Действительно, у истока в сечении y=0 напряжение на n
+
-p-переходе
равно U
зи
, а у стока в сечении y=L напряжение уже равно –(U
зи
+U
си
) из- за
падения напряжения вдоль канала . Поэтому, как показано на рис. 3в, при
U
зи
+U
си
=U
отс
происходит отсечка канала у стокового электрода (y=L).
При фиксированном напряжении на затворе (U
зи
<U
отс
) с ростом стокового
напряжения U
си
от 0 до значения U
отс
-U
зи
ток стока растет, поскольку растет
Исток
Исток
Исток
Исток
Сток
Сток
Сток
Сток
p
+
p
+
p
+
p
+
p
+
p
+
p
+
p
+
n-затвор
+
n-затвор
+
n-затвор
+
n-затвор
+
p-канал
n-Si Подложка
n-Si Подложка
n-Si Подложка
n-Si Подложка
0
0
0
0
a
a
L
L
L
L
x
x
x
x
y
y
y
y
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
-
-
U
СИ
U
СИ
U
ЗИ
U
ЗИ
U
ЗИ
U
ЗИ
б) U>U, U=0
ЗИотсСИ
а) U<U, U=0
ЗИотсСИ
в) U+U=U
ЗИСИотс
г ) U+U>U
ЗИСИотс
L
′
∆
L
Рис. 3. Конфигурация затворного n-p-перехода и канала полевого транзистора
при разных значениях напряжения U и U.
+
ЗиСИ
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+++++
+
+
+
+
+++
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
--
-
---
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
p
p
p
                                              23
        - +                                                  - +
                               Сток                                              Сток
        UЗИ                                                  UЗИ

     И сток                                        И сток
  p + - +
            n+-затвор +     p+                  p+ -+           n +-затвор ++- p
                                                                                 +
          +       + + + -                            +
     0 - - +- +- - - - L              y            0-         + + + + + + -L            y
             p-канал                            p             - - - - - -
       a                                            a
- - - - - - - - - - -                          - - -          - - - - - - - -
+ + + + + + + + + + +                          + + +          + + + + + + + +
            n-Si Под лож ка                                     n-Si Под лож ка
         x                                -                  x
    а) UЗИ Uотс, UСИ =0
                    +      -                                              + -

                    UСИ                                                   U СИ
         -    +                                               -     +

        UЗИ                                                  UЗИ

    И сток            Сток                              И сток               Сток
  p+ +                     +                       p+              + -- p
                                                                                    +
        + n+-затвор + - p                          - + n -затвор
                                                        +
    0- - + + + + -                                      + + +         -                 y
 p          - - - - - L               y         p 0 - -- - - - + - L
                    - -                                    -     - -
      a                                                        - -
- - - - - - - - - - -                          - - - - - - - - - - -
+ + + + + + + + + + +                          + + + + + + + + + + +
           n-Si Под лож ка                             n-Si Под лож ка
         x                                               x         L′   ∆L
   в) UЗИ +UСИ =Uотс                                г) UЗИ +UСИ >Uотс

Рис. 3. К онф игурация затворного n+-p-переход а и канала полевого транзистора
при разны х значениях напряж ения UЗи и UСИ .
      Н а рис. 3а и 3б изображ ены области объ ем ного заряд а при отсутствии
напряж ения на стоке(Uси=0), причем на рис. 3б показан случай отсечки канала
при больш ом напряж ении на затворе. При стоковом напряж ении, отличном от
нуля, ш ирина n+-p-переход а начинаетзависеть откоорд инаты вд оль д лины
канала. Д ействительно, у истока в сечении y=0 напряж ение на n+-p-переход е
равно Uзи, а у стока в сечении y=L напряж ение уж е равно –(Uзи+Uси) из-за
пад ения напряж ения вд оль канала. Поэтом у, как показано на рис. 3в, при
Uзи+Uси=Uотс происход итотсечка канала устокового электрод а (y=L).
      При ф иксированном напряж ении на затворе(Uзи

Страницы