Транзисторы. Петров Б.К - 24 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

24
продольная составляющая поля Е
y
, направленная вдоль канала . По мере
приближения величины стокового напряжения U
си
к напряжению перекрытия
канала U
пер
=U
отс
-U
зи
рост тока I
ст
замедляется вследствие сужения проводящей
части канала у стокового электрода.
При U
си
>U
пер
=U
отс
-U
зи
ток стока расти почти перестает, так как отсеченная
область канала теперь имеет конечную длину ∆L (см . рис. 3г), а проводящая
часть L′ оказывается меньше длины затвора L. На высокоомной области ∆ L
падает напряжение U
си
=U
отс
-U
зи
, а на проводящей части канала сохраняется
постоянное напряжение U
пер
. Через проводящую область L′ по- прежнему
протекает дрейфовый ток дырок, который слабо растет из - за увеличения
напряженности поля в этой области
L
U
UL
U
E
пер
си
пер
y
>
′
=
)(
. Через обедненный
слой ∆L(U
отс
) протекает инжекционный ток дырок подобно инжекционному
току дырок из базы n-типа в обратно смещенный коллекторный p-n-переход в
биполярном p-n-p-транзисторе.
С ростом затворного напряжения U
зи
уменьшаются глубина проводящего
канала a-x(y), где x(y) – ширина n
+
-p-перехода в сечении y, напряжение
перекрытия U
отс
-U
зи
и ток стока насыщения .
При увеличении напряжения на стоке растет напряженность поля в
затворном p-n-переходе вблизи стока и при достожении значения 2,5
⋅
10
5
В /см в
нем начинается лавинный пробой .
Таким образом , качественно выходные ВАХ должны иметь вид ,
изображенный на рис. 4.
I
ст
U
СИ
Крутая
область
Пологая область
Область пробоя
U=0
ЗИ
U
ЗИ 1
U>U
ЗИ 2 ЗИ 1
Рис. 4. Выходные ВАХ полевого транзистора с управляющим
n-p-переходом и каналом p-типа.
+
0
                                          24

прод ольная составляю щ ая поля Е y, направленная вд оль канала. По м ере
приближ ения величины стокового напряж ения Uси к напряж ению перекры тия
канала Uпер=Uотс-Uзи росттока Iст зам ед ляется вслед ствие суж ения провод ящ ей
части канала устокового электрод а.
      При Uси>Uпер=Uотс-Uзи токстока расти почти перестает, таккакотсеченная
область канала теперь им еетконечную д лину ∆L (см . рис. 3г), а провод ящ ая
часть L′ оказы вается м еньш е д лины затвора L. Н а вы сокоом ной области ∆L
пад аетнапряж ение Uси=Uотс-Uзи, а на провод ящ ей части канала сохраняется
постоянное напряж ение Uпер. Ч ерез провод ящ ую область L′ по-преж нем у
протекает д рейф овы й ток д ы рок, которы й слабо растет из-за увеличения
                                               U п ер          U п ер
напряж енности поля в этой области E y =                   >            . Ч ерез обед ненны й
                                              L ′(U си )         L
слой ∆L(Uотс) протекаетинж екционны й ток д ы рок под обно инж екционном у
току д ы рок из базы n-типа в обратно см ещ енны й коллекторны й p-n-переход в
биполярном p-n-p-транзисторе.
      С ростом затворного напряж ения Uзи ум еньш аю тся глубина провод ящ его
канала a-x(y), гд е x(y) – ш ирина n+-p-переход а в сечении y, напряж ение
перекры тия Uотс-Uзи и токстока насы щ ения.
      При увеличении напряж ения на стоке растет напряж енность поля в
затворном p-n-переход евблизи стока и при д остож ении значения 2,5⋅105 В /см в
нем начинается лавинны й пробой.
       Т аким образом , качественно вы ход ны е В А Х д олж ны им еть вид ,
изображ енны й на рис. 4.



         Iст К рутая       Пологая область
             область
                                    U ЗИ =0


                                  UЗИ 1                        О бластьпробоя

                                UЗИ 2>UЗИ 1

           0                                                     UСИ
          Рис. 4. В ы ход ны еВ А Х полевого транзистора суправляю щ им
          n+-p-переход ом и каналом p-типа.

Страницы