Силовые преобразователи электрической энергии. Петрович В.П - 24 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

24
c
c
зи
const
i
S
U
U
D
=
=
D
– крутизна стоко-затворной характеристики тран-
зистора.
В результате процесса включения выходной импульс тока стока
задерживается относительно импульса управления на время, опреде-
ляемое по выражению:
вкл з вкл нар
ttt
=+
. (1.14)
Аналогичный процесс происходит при выключении транзистора
(рис. 1.17). На рисунке обозначено:
з выкл
t – время задержки выключе-
ния транзистора;
выкл
t – время выключения, в течение которого спадает
импульс тока стока;
уст
t – время установления исходного состояния.
Следует отметить, что указанные промежутки времени, характе-
ризующие динамические свойства полевых транзисторов, значительно
меньше, чем аналогичные параметры у биполярных транзисторов.
Таким образом, MOSFET в качестве управляемых силовых клю-
чей обладают следующими очевидными достоинствами:
§ более простые системы управления и малая мощность управле-
ния;
§ отсутствие инжекции неосновных носителей и, следовательно,
отсутствие явления накопления их в виде объёмного заряда, а значит, и
отсутствие так называемого времени рассасывания, что значительно
улучшает динамические свойства транзистора;
§ отсутствие саморазогрева полевого транзистора, характерного
для биполярных транзисторов, а следовательно, хорошая термоустойчи-
вость, что позволяет легко и просто решать проблему параллельного
включения нескольких транзисторов;
§ полное отсутствие вторичного пробоя, что позволяет эффектив-
нее использовать полевой транзистор по передаваемой мощности.
К числу основных недостатков MOSFET следует отнести вредное
влияние на его работу ряда «паразитных» элементов, возникающих в
структуре транзистора на стадии его изготовления. Влияние некоторых
из этих элементов на процесс переключения транзистора уже рассмат-
ривалось выше (паразитные емкости
зи
С
и
зс
С
). Кроме них очень вред-
ное влияние на работу MOSFET оказывает паразитный биполярный
транзистор
VT
(рис. 1.18), образованный
+
-истоком (эмиттер), p-
областью инверсного канала (база) и эпитаксиальным
-
n
-слоем (кол-
лектор). Паразитный транзистор фактически параллельно подключен к
рабочему каналу МДП-транзистора.

Страницы