Силовые преобразователи электрической энергии. Петрович В.П - 25 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

25
Рис. 1.18. Паразитные элементы структуры
мощного МДП-транзистора (а), эквивалентная схема базовой ячейки (б)
Для сохранения положительных свойств МДП-транзистора и ис-
ключения начала работы биполярного транзистора часть p-области все-
гда подключают к металлизированному контакту истока (это эквива-
лентно закорачиванию эмиттерного перехода паразитного транзистора).
Биполярный транзистор оказывается запертым и не оказывает сущест-
венного влияния на работу полевого транзистора. Однако быстрый спад
или, наоборот, рост напряжения «сток – исток» полевого транзистора,
что является обычным в динамических режимах, может привести к не-
санкционированному открытию паразитного транзистора, а это, в свою
очередь, может привести к выходу из строя всей силовой схемы.
Подключение p-области транзистора к истоку создает еще один
дополнительный элемент – обратновключенный диод
1
VD
. Поэтому
МДП-транзистор проектируют таким образом, чтобы данный диод со-
ответствовал аналогичным показателям МДП-транзистора и имел малое
время восстановления запирающих свойств.
1.1.2.3. Комбинированные транзисторы
Вред от паразитного биполярного транзистора в составе MOSFET-
транзистора можно обратить в пользу, если к нему добавить ещё один
дополнительный биполярный транзистор обратного типа проводимости
по отношению к паразитному. Такое компромиссное решение, позво-
лившее объединить положительные качества биполярного и МДП-
транзистора, представляет собой создание монолитной структуры, на-
зываемой IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), т. е. биполярный
транзистор с изолированным затвором (БТИЗ). Отличие в структуре за-
ключается в материале исходной подложки, в качестве которой исполь-
зуется полупроводниковая пластина с дырочной
+
p -электропровод-
ностью (рис. 1.19, а).

Страницы