Силовые преобразователи электрической энергии. Петрович В.П - 26 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

26
кэ2
ii
=
к2
i
к1
i
э1
i
э
i
с
i
(
)
-
n
RR1
(
)
p
RR2
Рис. 1.19. Структура IGBT (а) и её эквивалентная схема (б)
В результате получится комбинированная схема (рис. 1.19, б), со-
держащая: МДП-транзистор, паразитный биполярный транзистор
1
VT
и
подключённый к нему ещё один биполярный транзистор
2
VT
. Образо-
вавшаяся структура из транзисторов
1
VT
и
2
VT
имеет положительную
внутреннюю обратную связь, т. к. базовый ток транзистора
1
VT
являет-
ся частью коллекторного тока транзистора
2
VT
, и наоборот – базовый
ток транзистора
2
VT
является частью коллекторного тока транзистора
1
VT
.
Коэффициенты передачи по току транзисторов
1
VT
и
2
VT
равны,
соответственно,
1
a
и
a
.
Тогда токи коллектора и эмиттера определяются:
к2 э22
ii
=a
, (4.8)
к1 э11
ii
=a
, (4.9)
эк1к2с
iiii
=++
. (4.10)
Ток стока полевого транзистора определяется по выражению
(
)
c
э 12
1ii
= -a -a
. (4.11)
С другой стороны, ток стока можно определить через крутизну
S
стоко-затворной характеристики:
зэ
c
SUi
=
. (4.12)
Ток силовой части всей схемы определяется:
( )
зэ
к э экв зэ
12
1
SU
i i SU
==
- a +a
, (4.13)
где
( )
экв
12
1
S
S =
- a +a
– эквивалентная крутизна всей схемы.
Очевидно, что при
12
a+a»
эквивалентная крутизна значитель-
но превосходит крутизну
S
МДП-транзистора, входящего в эту схему.

Страницы