Силовые преобразователи электрической энергии. Петрович В.П - 28 стр.

UptoLike

28
интервалами проводимости двух ключей, установленных в одном плече
моста. Для уменьшения «хвоста» необходимо снижать коэффициент
усиления биполярного транзистора, но тогда увеличивается напряжение
насыщения открытого IGBT и, соответственно, статические потери.
порзи
U
порзи1зи
UU
>
1зи2зи
UU
>
2зи3зи
UU
>
3зи4зи
UU
>
к
I
кэ
U
«токовый
хвост»
t
к
кэ
, iU
к
i
кэ
U
Рис. 1.21. Выходные Рис. 1.22. Процесс запирания IGBT
характеристики IGBT
Тем не менее, несмотря на отмеченные особенности, IGBT на се-
годняшний день представляются самыми перспективными элементами
для использования в качестве силовых управляемых ключей в диапазо-
не мощностей от единиц киловатт до единиц мегаватт.
1.1.3. Тиристоры
Конструктивно тиристоры выполняются в виде дискретных эле-
ментов (рис. 1.23, а) и силовых модулей (рис. 1.23, б). Тиристоры
представляют собой четырехслойную полупроводниковую структуру
p
1
n
1
p
2
–n
2
-типов проводимости (рис. 1.23, в).
1
n
2
p
2
n
П
2
П
3
П
1
p
Рис. 1.23. Тиристоры: дискретное (а) и модульное (б) исполнение;
структура тиристора (в)