Силовые преобразователи электрической энергии. Петрович В.П - 27 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

27
Коэффициентами
1
a
и
2
a
можно управлять величиной резисторов
1
R
и
2
R
, которая осуществляется на этапе изготовления этой схемы.
Всю рассмотренную схему можно представить как единый полу-
проводниковый прибор, имеющий вывод коллектора, эмиттера и затво-
ра, который управляется электрическим полем, как MOSFET, но имеет
по сравнению с ним значительно большую крутизну и значительно
меньшее сопротивление в открытом состоянии. Кроме того, здесь от-
сутствует явление вторичного пробоя, характерное для классических
биполярных транзисторов.
Конструктивно IGBT выполняются в виде дискретных элементов
(рис. 1.20, а), силовых модулей (рис. 1.20, б), имеющих в своём составе
несколько IGBT, выполненных в едином корпусе. Условное графиче-
ское изображение транзисторов представлено на рис. 1.20, в, г.
Рис. 1.20. Конструкции IGBT: дискретное (а) и модульное (б) исполнение;
условное графическое обозначение: отечественное (в); зарубежное (г)
На рис. 1.21 изображены типовые коллекторные характеристики
(выходные).
Динамические свойства IGBT несколько хуже, чем у MOSFET, но
значительно лучше, чем у биполярных транзисторов. Это связано с яв-
лением накопления заряда неосновных носителей в базе биполярного
транзистора и, как следствие, со временем рассасывания этих носителей.
Процесс запирания IGBT представлен на рис. 1.22. Заряд, накоп-
ленный в базе биполярного транзистора, вызывает характерный «хвост»
тока при включении IGBT. Как только имеющийся в составе IGBT
МДП-транзистор прекращает проводить ток, в силовой цепи начинается
рекомбинация неосновных носителей, которая является началом «хво-
ста». Этот «хвост» ведет к увеличению тепловых потерь, а также его не-
обходимо учитывать в мостовых схемах и вводить промежуток между

Страницы