Материаловедение поверхности и тонких пленок. Пичугин В.Ф. - 109 стр.

UptoLike

Составители: 

109
Мы рассмотрели только лишь случаи, когда адатомы
расположены непосредственно над атомами подложки. Адатомы
могут располагаться и между позициями атомов подложки. Например,
это произойдет, если каждый атом сместить на
1
2
1
a
и
2
2
1
a
. С учетом
того, что операции с векторами не зависят от выбора начала отсчета,
подобные слои обозначаются, как и ранее, т.е. P(2×2), P(1×2).
Обратная решетка. Большая размерность в реальном пространстве в
прямоугольных координатах оказывается повернутой на угол 90° и
укороченной обратно пропорционально в обратном пространстве.
Связь между b
1
, b
2
и соответствующими компонентами
1
b
и
2
b
для
единичной ячейки обратной решетки определяется выражением:
ijji
bb πδ2
(5.36)
Аналогичным образом можно записать:
ijji
aa πδ2
(5.37)
Обратные решетки, соответствующие реальным структурам,
представленным на рисунке 5.14с и 5.14b, показаны на том же
рисунке. Масштаб произвольный, однако, периодичность и симметрия
сохраняются. Когда две атомных ориентации P(2×1) и P(1×2)
перемешиваются в приблизительно равных пропорциях, что может
произойти в процессе осаждения, их обратные решетки
накладываются.
Основными методами исследования структуры поверхности и
тонких слоев являются дифракция электронов и сканирующая
электронная микроскопия.
5.7 Зародышеобразование
Парадоксально, но зародышеобразование, в котором участвует
небольшое количество атомов, может быть описано методами
классической термодинамики, которая имеет дело с континуумом
множества атомов. Основные вопросы, в данном разделе
следующие:
1. Условия, определяющие термодинамическую стабильность
зародышей тонких пленок.
2. Какова роль поверхностной энергии пленки и подложки при
зародышеобразовании?
3. Каковы могут быть размеры ядер-зародышей и каков
энергетический барьер их образования при данных условиях
осаждения (т.е., пересыщенный пар)?