Материаловедение поверхности и тонких пленок. Пичугин В.Ф. - 27 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

27
существу дается отношением K
s
/a
0
показать, что он изменяется как
4
0
a
в
ионных кристаллах.
1.4. Металлы Al и Pb являются кандидатами для создания
тонкопленочных электрических контактов в высокотемпературных
сверхпроводящих приборах, которые состоят из смеси оксидов Y
2
O
3
,
BaO и Cu
2
O. Энтальпия образования окислов следующая:
ΔH
0
(Y
2
O
3
) = - 455 ккал/моль, ΔH
0
(BaO) = -132 ккал/моль и
ΔH
0
(Cu
2
O) = - 40,8 ккал/моль. Какой из металлов будет лучшим
материалом для контактов? Почему?
1.5. Расплав 80 ат% Ga и 20 ат% As охлажден в тигле от 1200°C до 0°C.
(а) Провести полный фазовый анализ содержимого тигля при 1200°C,
1000°C, 600°C, 200
c
C, 30°C и 29°C. Какие фазы присутствуют? Каков их
химический состав и каково относительное содержание этих фаз?
(б) Термопара, погруженная в расплав, записывает температуру
охлаждения тигля. Начертите, качественно, ожидаемую зависимость
температура – время охлаждения.
(в) Выполите полный фазовый анализ для расплава 80 ат% As и 20 ат% Ga
при 1000°C, 800°C и 600°C.

Страницы