Материаловедение поверхности и тонких пленок. Пичугин В.Ф. - 60 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

60
Дефекты замещения на поверхности являются атомами другого
компонента. Адсорбция адатомов другого сорта может приводить к
формированию поверхностной фазы.
Дислокации. Выход винтовой дислокации на поверхности оказывает
сильное влияние на рост пленки из паровой фазы. Рост пленки
происходит за счет присоединения атомов и спиральной ступени,
возникающей вокруг выхода винтовой дислокации.
Доменные границы. Непрерывная область поверхности, занятая
данной поверхностной фазой, называемая доменом поверхностной
фазы имеет конечный размер. Обычно терраса состоит из нескольких
доменов, разделенных доменными границами (доменными стенками).
Формирование многодоменной структуры является следствием того,
что зарождение новой фазы происходит независимо в нескольких
точках поверхности.
Задачи для самостоятельной работы к главе 3
3.1. Какие дефекты могут возникать в кристалле? С чем связано
возникновение того или иного дефекта?
3.2. а) Для образования вакансии в алюминии требуется энергия
примерно 0,75 эВ. Сколько существует вакансий при комнатной
температуре в состоянии термодинамического равновесия? При
550°С?
б) Для образования дефекта внедрения в алюминии требуется около
3 эВ.Рассчитать отношение п
i
/n
v
при комнатной температуре и при
550° С.
3.3. Используя модель ТСИ с учетом взаимодействия только между
ближайшими соседями, напишите выражения для энергии
формирования адатома на ступени и вакансии на ступени.
3.4. Используя построение Вульфа, определите равновесную форму
трехмерного простого кубического ТСИ кристалла, учитывая
взаимодействие,
(а) только между ближайшими соседями;
(б) между первыми и вторыми соседями.
3.5. Чем определяется скорость перемещения дефектов в кристаллах?
Как зависит ток заряженных дефектов от напряженности
электрического поля?

Страницы