Материаловедение поверхности и тонких пленок. Пичугин В.Ф. - 96 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

96
Тогда соотношение (5.24) при р = const обеспечивает
экспоненциальное снижение
0
от единицы при Т = 0 К до нуля,
наблюдаемое в эксперименте и показанное на рисунке 5.5. Физическая
трактовка этого была дана в предыдущем параграфе, включая
качественное объяснение хемосорбционного максимума на кривой
рисунка 5.5.
5.4 Поверхность подложки и формирование тонких пленок
Научные исследования механизмов роста тонких пленок начали
развиваться с начала 20 века. Использование современных методов
исследования позволяет понять механизм формирования покрытий на
ранних стадиях. Последовательность зародышеобразования и роста
пленки следующая.
1. Сразу после погружения подложки в плазму на ее поверхности
наблюдается формирование высокоподвижных кластеров
(островков), распределение которых однородно. На этой стадии
зародыши растут за счет поступающих атомов, в то время как
их плотность быстро насыщается.
2. На следующем этапе происходит слияние островков за счет
коалесценции, особенно если температура подложки высокая.
Коалесценция увеличивает плотность островков, что в свою
очередь приводит к локальному обнажению поверхности
подложки, где в дальнейшем также происходит
зародышеобразование.
3. Продолжающая коалесценция приводит к формированию сетки
из островков. Далее
незаполненные каналы
заполняются, оставляя
изолированные пустоты. На
заключительном этапе пустоты
заполняются, и тонкая пленка
становится сплошной.
Зародышевый механизм не
является единственно
возможным. На шероховатой
или дефектной поверхности
подложек могут работать
иные механизмы роста
пленки, без начального
образования зародышей.
Исследования позволили выделить три механизма роста пленок,
известных как:
• зародышевый механизм роста по модели Фольмера-Вебера;
Рис.5.8 Основные модели роста
пленок

Страницы