Материаловедение поверхности и тонких пленок. Пичугин В.Ф. - 99 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Наряду с описанным механизмом конденсации пар-кристалл

(ПК-механизм), в ряде случаев экспериментально наблюдается

механизм конденсации пар-жидкость-кристалл (ПЖК-механизм). Этот

механизм обычно работает при достаточно высоких температурах

подложки, таких что T > (2 /3) T

, где T

— температура плавления

объемного конденсируемого материала. Это объясняется тем, что

температура плавления малых зародышей ниже температуры

плавления объемной фазы и приближается к ней по мере увеличения

размера зародыша. Поэтому на начальной стадии конденсации фазой,

равновесной с паром, является жидкость в форме островков, которые

при разрастании затвердевают, образуя поликристаллическую или

аморфную пленку. Выделяющаяся теплота конденсации повышает

температуру процесса, что содействует осуществлению ПЖК-

механизма.

При двухмерном росте на идеальной плотноупакованной грани в

ряде случаев, особенно для неполярных кристаллов, зародышевый

механизм может вырождаться в послойный механизм ниже. В центре

совершенной грани при определенном пересыщении возникает

двухмерный зародыш, который разрастается в монослой путем

диффузионного присоединения адатомов к моноатомной ступени.

Перемещение краев зародыша в форме движения ступени,

определяющее скорость зарастания монослоя, обычно происходит

довольно быстро. Скорость роста пленки в целом лимитируется

зарождением двухмерного зародыша на поверхности совершенной

грани, дающим начало росту нового монослоя.

Послойный механизм роста реализуется при наличии на

поверхности подложки ступеней, источником которых является, в

частности, естественная шероховатость граней с большими индексами

Миллера. Эти грани представляются в виде совокупности атомных

Рис. 5.9 Совокупность моноатомных ступеней на грани кристалла

с большими индексами Миллера (а) и излом моноатомной ступени (б).