Мощная импульсная энергетика. Пичугина М.Т. - 7 стр.

UptoLike

Составители: 

кафедра ТЭВН ЭЛТИ ТПУ
7
сборная шина К, к которой подводится ток от модулей и
присоединяется к нагрузке Н. Обязательным элементом накопителей
являются УБС, обеспечивающие нормальную и безопасную работу. В
табл. 1 приведены характеристики генераторов импульсных токов
большой энергии среднего уровня напряжения.
Таблица1.1 Характеристики ГИТ большой энергии среднего уровня
напряжения
Установка
W
0
,
МДж
U
0
,
кВ
L
0
,
нГн
I
0
,
МА
τ
0
,
мкс
L
0
W
0
нГнМ
Дж
L
H
,
нГн
η
0
N
C
,
шт
L
C
/N
C
L
0
Фарос
Изар-1
Тэтатрон
Спиллак
Шива
МКБ
Утро
2
2,67
1,07
10
1,1
2,7
0,7
20
40
40
60
100
30
50
4
4,1
5,7
0,21
2,2
6
6,2
32
36
19
310
32
30
16
10
5,7
2,1
1,7
1,1
9,4
3,1
8
10,9
6,1
2,1
2,4
16,2
4,4
6
7,5
5,0
0,9
-
-
-
0,6
0,65
0,48
0,8
-
-
-
1170
1300
1334
3024
120
2000
192
0,026
0,022
-
0,1
0,15
0,05
0,25
Примечания: I
0
, τ
0
расчетные значения амплитуды тока и времени нарастания
при коротком замыкании.
Из таблицы видно, что для ГИТ, предназначенных для получения
большого тока с малым временем нарастания в малоиндуктивной
нагрузке, характерно существенное различие в параметрах. Другие
ГИТ служат лишь как источники энергии, и к ним эти требования не
предъявляются. Сюда относятся накопители с рекордно большим
энергозапасом для питания лазеров, а также ЕНЭ низкого
напряжения,
предназначенные для создания магнитного поля в больших
многовитковых соленоидах установок ТОКАМАК, в магнитных
системах, используемых для транспортировки плазменных сгустков и
электронных пучков.
Основные требования, предъявляемые к таким установкам:
надежность работы накопителя; отсутствие пробоев конденсаторов и
изоляции; отсутствие самопроизвольного срабатывания
конденсаторов; синхронность работы модулей.
Такие же требования предъявляются к ГИТ,
предназначенным для
получения больших токов в малоиндуктивной нагрузке. Кроме того,
выдвигаются дополнительные требования, связанные с обеспечением
высокой эффективности передачи энергии в нагрузку и высокой
скорости нарастания тока. Такие требования могут быть выполнены в
ГИТ, собственная индуктивность которых мала.