Мощная импульсная энергетика. Пичугина М.Т. - 9 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

кафедра ТЭВН ЭЛТИ ТПУ
9
их конструкции можно использовать конденсаторы с большей
индуктивностью, мало изменив L
0
.
У генераторов с малой энергией, состоящих из небольшого числа
конденсаторов, вклад их индуктивности, а также индуктивности
коммутаторов в L
0
существенен. В таких ГИТ небольшое значение
индуктивности можно получить лишь снижением индуктивности всех
элементов, в том числе и конденсаторов.
Например: ГИТ с энергией 50 кДж (U
0
= 50 кВ) состоит из 6
модулей, включающих 1 конденсатор и 1 твердотельный разрядник.
Полная индуктивность короткого замыкания L
0
= 4 нГн. L
C
= 8 нГн, L
Р
≅ 6 нГн, L
К
= 1,4 нГн (конденсаторы подключены непосредственно к
сборной шине). При этом L
0
W
0
= 0,2 МДж⋅нГн; L
C
/(L
0
N
C
) = 0,3, что
намного выше, чем у ГИТ большой энергии.
Задача минимизации собственной индуктивности ГИТ –
комплексная. Разумный уровень требований к L
0
определяется
параметрами нагрузки (нет смысла добиваться значения L
0
, меньших,
чем (0,1 – 0,2) L
Н
), а требования к индуктивности элементов цепи
должны диктоваться вкладом этих элементов в общую индуктивность.
Вместе с тем важны конструктивные и экономические соображения, в
частности простота конструкции элементов ГИТ, удобство их
монтажа и обслуживания, а также стоимость ГИТ, включая стоимость
монтажных работ.
При разработке ГИТ возникают следующие основные проблемы:
создание конденсаторов
с повышенной удельной энергией; разработка
системы коммутации с требуемой пропускной способностью;
разработка соединительных элементов.
1.1.2 Разрядные процессы в емкостных накопителях энергии
Различные схемы разрядных контуров можно представить в виде
последователь соединенных C
Н
, L
P
, R
Р
(рис 1.3).
Рис. 1.3. Разрядная схема ГИТ:
C
Н
– емкость накопителя;
L
P
– индуктивность разрядного
контура;
R
Р
– активное сопротивление
разрядного контура;
К – коммутатор.
Параметры L
P
и R
Р
включают в себя индуктивности и активные
сопротивления нагрузки L
Н
, R
Н
, проводов разрядного контура L
ПР
, R
ПР
,
и дуги разрядного устройства L
Д
, R
Д
. В общем случае параметры L
P
(i
Р
)
и R
Р
(i
Р
) являются переменными, зависящими от i
Р
, причем

Страницы