Мощная импульсная энергетика. Пичугина М.Т. - 8 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

кафедра ТЭВН ЭЛТИ ТПУ
8
Это следует из известного выражения для энергии, переданной в
индуктивную нагрузку в момент максимума тока, и для начальной
скорости нарастания тока
000000M
W
η
⋅
⋅
=
+
⋅⋅= kW)LL/(LkW
HH
, (1.4)
()
H
LL
U
dt
di
+
=
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
0
0
0
, (1.5)
где W
0
– начальная энергия накопителя; L
H
– индуктивность
нагрузки; U
0
– начальное напряжение батареи; k
0
– коэффициент,
учитывающий уменьшение энергии к моменту максимума тока
вследствие потерь в активных сопротивлениях цепи разряда.
В ГИТ, питающих малоиндуктивную нагрузку, собственную
индуктивность можно снизить путем уменьшения индуктивности ее
составляющих: конденсаторов (L
C
), соединительных элементов (
/
M
L ),
коммутаторов (L
Р
), проводников, соединяющих модули с нагрузкой
(L
Т
) и коллектора (L
К
). Собственная индуктивность ГИТ
KT
M
P
/
M
CM
C
LL
N
LL
N
L
++
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
++=
1
L
0
,
(1.6)
где N
CM
– число коллекторов в модуле; N
M
- число модулей;
N
CM
⋅
N
M
= N
С
– полное число конденсаторов.
Индуктивность L
0
сама по себе мало характеризует качество
конструкции ГИТ, т.к. этот показатель не является «удельным»
показателем. Более удобно сравнивать ГИТ разной энергии по
параметру L
0
W
0
: чем он меньше, тем совершеннее конструкция ГИТ
по обеспечению малой индуктивности. Для оценки того, насколько
хорошо согласованы между собой элементы цепи и каковы резервы
уменьшения полной индуктивности ГИТ при заданных параметрах
конденсаторов, целесообразно ввести удельный параметр
L
C
/(L
0
N
C
) (см. табл. 1.1), характеризующий относительный вклад
конденсаторов в полную индуктивность ГИТ. Из формулы (1.6)
видно, что основной вклад в L
0
в малоиндуктивных ГИТ вносят два
последних члена выражения, тогда как индуктивность модулей
L
М
M
P
/
M
CM
C
N
LL
N
L
1
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
++=
относительно мала, потому что N
M
велико.
При этом параметр L
C
/( L
0
N
C
) много меньше единицы.
Очевидно, что в крупных ГИТ существует возможность снижения
собственной индуктивности главным образом благодаря применению
более совершенных соединительных элементов, а при существующей

Страницы