Физические основы микроэлектроники. Попов В.Ф. - 16 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

а) б)

в)

Рис. 9 Возбуждение носителей заряда в n-полупроводниках:

а – Т ≈ 0 К; б – Т > 0 К; в – процесс с точки зрения зонной теории

Примеси, являющиеся источниками электронов проводимости, называются донорами, а энергетические уровни этих

примесей – донорными уровнями. Полупроводники, содержащие донорную примесь, называются электронными

полупроводниками или полупроводниками n-типа; часть их называют также

донорными полупроводниками.

6.3.2 АКЦЕПТОРНЫЕ УРОВНИ

Предположим теперь, что в решетке германия часть атомов германия замещена атомами трехвалентного цезия (рис. 10,

а).

Для образования связей с четырьмя соседями у атомов индия не хватает одного электрона. Его можно "позаимствовать"

у атома германия. Расчет показывает, что для этого требуется энергия порядка Е

≈ 0,01 эВ. Разорванная связь

представляет собой "дырку" (рис. 10, б), так как она отвечает образованию в валентной зоне германия вакантного состояния.

а) б)