ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
11
l – путь, пройденный электронами, рассеянными от поверхности
∫
ϕ
ϕϕ=
0
0
1
11
dxnl sin
;
эф
λ
– эффективный путь (средний путь, пройденный электроном).
Очевидно
λ
+==
ϕϕλ+ϕϕ=
+
=λ
∫∫
π
ϕ
2
1
1
2
00
111
эф
0
ln...sinsin ddndxn
nn
ll
.
Обозначим:
σ – удельная электропроводность
λ=σ
v2
1
2
т
пе
.
Примем
эф
λ=λ
, тогда
λ
+=σ
dm
пdе
ln1
v2
2
.
Примем электропроводимость толстых пленок бесконечно большой
∞
σ
=
σ
.
Тогда
λ
+
λ
=
σ
σ
∞
dd
ln1
. (11.1)
Учитывая, что удельное сопротивление обратно пропорционально удельной проводимости перепишем выражение
λ
+
λ
=
ρ
ρ
∞
d
d
ln1
. (11.2)
На рис. 62 представлена графическая зависимость удельного электросопротивления от толщины пленки. На нем видны
три области:
I – сильная зависимость удельного электросопротивления от толщины пленки. Структура пленки – островная.
Основной механизм проводимости – туннельный эффект.
II – слабая зависимость удельного электросопротивления от толщины пленки. Структура пленки – сплошная,
110 ...,≈
λ
d
. Следовательно, пленка еще остается тонкой.
III – удельное электросопротивление не зависит от толщины пленки. Следовательно, пленка толстая.
На основании анализа графика можно сделать вывод: пленка считается тонкой до тех пор, пока ее удельное
сопротивление зависит от толщины.
Рис. 62 Зависимость удельного сопротивления от
толщины пленки
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1 Шаскольская М. П. Кристаллография. М.: Высш. шк., 1984. 376 с.: ил.
2 Епифанов Г. И. Физика твердого тела. М.: Высш. шк., 1977. 288 с.: ил.
3 Епифанов Г. И., Мома Ю. А. Физические основы конструирования и технологии РЭА и ЭВА. М.: Сов. радио, 1979.
352 с.: ил.
4 Павлов П. В., Хохлов А. Ф. Физика твердого тела. М.: Высш. шк., 2000. 494 с.: ил.
5 Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977. 672 с.: ил.
6 Киреев П. С. Физика полупроводников. М.: Высш. шк., 1975. 584 с.: ил.
7 Готра З. Ю. Технология микроэлектронных устройств. М.: Радио и связь, 1991. 528 с.: ил.
8 Антипов Б. Л., Сорокин В. С., Терехов В. А. Материалы электронной техники. М.: Высш. шк., 1990. 208 с.: ил.
