ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
7.4 Положение уровня Ферми и зависимость концентрации
носителей от температуры в полупроводниках ………….
42
7.4.1 Зависимость концентрации свободных носителей
от положения уровня Ферми ……………………...
42
7.4.2 Положение уровня Ферми и зависимость
концентрации носителей от температуры в
собственных полупроводниках
…………………………………..
46
7.4.3 Положение уровня Ферми и температурная
зависимость концентрации носителей в
примесных полупроводниках
…………………………………..
48
7.4.4 Закон действующих масс …………………………. 53
8 ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ МЕТАЛЛОВ …………………….. 54
8.1 Удельная электропроводность металлов ………………... 54
8.2 Оценка подвижности. Эффект Холла ……………………. 55
8.3 Правило Матиссена ……………………………………….. 61
8.4 Механизмы рассеяния …………………………………….. 62
8.4 Электропроводность сплавов …………………………….. 65
8.5 Явления сверхпроводимости ……………………………... 66
9 ТЕПЛОПРОВОДНОСТЬ ТВЕРДЫХ ТЕЛ ……………………. 70
10 КОНТАКТНЫЕ И ПОВЕРХНОСТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ ……….. 74
10.1 Методы получения p-n-переходов ………………………
75
10.2 Работа выхода ……………………………………………. 80
10.3 Термоэлектронная эмиссия ……………………………... 82
10.4 Эффект Шоттки ………………………………………….. 86
10.5 Контактная разность потенциалов ……………………… 87
10.6 Барьер Шоттки …………………………………………… 89
10.7 Равновесное состояние p-n-перехода …………………... 92
10.8 Внутренний фотоэффект ………………………………... 94
10.8.1 Экситонные состояния …………………………... 97
10.9 Эффект Ганна …………………………………………….. 98
10.10 Поверхностные состояния ……………………………... 101
10.11 Приповерхностный слой объемного заряда ………….. 104
10.12 Поверхностная рекомбинация …………………………. 106
11 ПЕРЕНОС НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ 108
