Проектирование полосковых устройств СВЧ. - 31 стр.

UptoLike

25
где
tg
δ
тангенс угла потерь в диэлектрике.
Из уравнения (2.17) видно, что потери в диэлектрике прямо
пропорциональны частоте и
tg
δ
. На СВЧ потери в диэлектрике, как правило,
малы по сравнению с потерями в проводниках. Однако в миллиметровом
диапазоне в диэлектрике становятся сравнимыми с потерями в проводниках,
так как потери в диэлектрике с ростом частоты возрастают по линейному
закону, в то время как потери в проводниках пропорциональны квадратному
корню из частоты.
Максимальная рабочая частота в полосковой линии ограничена
возможностью возбуждения волны
Н
-типа. Для широких линий критическая
частота (ГГц)
Н
-волны низшего типа определяется формулой
()
4
115
π
ε
+
=
bW
b
f
r
КР
, (2.18)
где
W
и
b
выражены в сантиметрах.
Из этой формулы видно, что критическая частота уменьшается при
увеличении расстояния между заземленными пластинами или увеличении
диэлектрической проницаемости.
2.2. МИКРОПОЛОСКОВЫЕ ЛИНИИ
Конфигурация микрополосковой линии (МПЛ) показана на рис. 2.1,б .
Микрополосковая линия является неоднородной линией передачи, так как не
все силовые линии поля между полосковым проводником и заземленной
пластиной проходят через подложку. Поэтому волна, распространяющаяся
вдоль микрополоскового проводника, является не чистой
Т
-волной (является
«квази
Т
-волной»). Эффективная диэлектрическая проницаемость
ε
эф
меньше диэлектрической проницаемости подложки, так как она учитывает
поле вне подложки.
В отличие от несимметричной полосковой линии с малым значением
диэлектрической проницаемости подложки, в МПЛ электромагнитное поле
концентрируется между микрополоском и заземленным основанием
(экраном), поэтому потери на излучение уменьшаются.