ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
12
h11727.782=
h11fh11190():=
fh11u()
u
Fi2u()
d
d
1−
10
3−
10
6−
⋅:=
Входное сопротивление
в Ом
150200
0
50
100
150
Fi1u()
Fi2u()
Fi3u()
uu, u,
Fi3u()interpC
3
Ub, Ib
3
, u,
()
:=
Fi2u()interpC
2
Ub, Ib
2
, u,
()
:=
150200
0
50
100
Fi1u()
Mi
1
〈〉
uUb,
Fi1u()interpC
1
Ub, Ib
1
, u,
()
:=
C
i
csplineUbIb
i
,
()
:=Ib
i
Mi
i
〈〉
:=i12, 3..:=UbMi
0
〈〉
:=
Uk
3
5:=Mi
120
140
160
180
200
210
5
10
20
35
60
80
5.2
11
24
45
74
100
5.5
12
26
50
90
130
:=
Uk
2
6:=
Uk
1
7:=
Расчет параметров транзистора
Аппроксимация входных характеристик
Рис . 1.3
12
Рас чет парамет ров т ранзис т ора
А ппрок с имация вх од ных х арак т ерис т ик
120 5 5.2 5.5
Uk 1 := 7
140 10 11 12
Uk 2 := 6
160 20 24 26
Mi := Uk 3 := 5
180 35 45 50
200 60 74 90
210
80 100 130
〈 〉 〈〉
Ub := Mi 0 i := 1 , 2 .. 3 Ib i := Mi i Ci := cspline ( Ub , Ib i)
Fi1 ( u) := interp ( C1 , Ub , Ib 1 , u)
Fi2 ( u) := interp ( C2 , Ub , Ib 2 , u) 100
Fi3 ( u) := interp ( C3 , Ub , Ib 3 , u) Fi1( u)
〈 〉 50
Mi 1
150
0
150 200
Fi1(u)
100 u , Ub
Fi2(u)
Fi3(u) 50
0
150 200
Вх од ное с опрот ивление
u,u,u вОм
−1 −3
d 10
fh11 ( u) := Fi2 ( u) ⋅ h11 := fh11 ( 190 )
du −6
10
h11 = 727.782
Рис . 1.3
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- …
- следующая ›
- последняя »
