Электроника и основы микропроцессорной техники. Раимова А.Т - 103 стр.

     6.2 Элементы интегральных микросхем


      Классифицируют ИМС по различным признакам: по функциональному
назначению - цифровые, аналоговые (линейные), аналого-цифровые; по
характеру выполняемой функции - усилители, генераторы (мультивибраторы,
блокинг-генераторы и др.), триггеры, логические элементы и другие; по
принципу действия основных элементов -биполярные, МДП и
комплементарные КМДП; по конструктивно-технологическим признакам -
полупроводниковые, пленочные, гибридные и совмещенные. Наиболее
распространена классификация по двум последним признакам.
      Полупроводниковая ИМС представляет собой полупроводник, в
поверхностном слое и объеме которого сформированы области,
эквивалентные      элементам     электрической    схемы,  изоляции    и
межсоединения. В качестве полупроводника обычно используют кремний,
он является несущей частью конструкции и называется подложкой. Пример
структуры полупроводниковой ИМС с омическими контактами 1-5 и ее
эквивалентная схема показаны на рисунке 6.1 а, б.




     Рисунок 6.1


      Изготовляют полупроводниковые ИМС групповым методом, при котором
одновременно создается большое число микросхем. Так, на одной пластине
диаметром 76 мм можно разместить до 5000 электронных микросхем, каждая из
которых может содержать от 10 до 20000 электронных элементов. В перспективе
диаметр пластин предполагают увеличить до 300 мм и разместить на них до
нескольких десятков миллионов элементов /7/.
      Пленочные ИМС представляют собой изолирующую подложку
(основание), на поверхности которой все элементы и межсоединения
сформированы в виде послойно нанесенных пленок. Пленочные ИМС содержат
только пассивные элементы, так как путем комбинации различных пленок

                                                                        125