Электроника и основы микропроцессорной техники. Раимова А.Т - 104 стр.

получить активные элементы (диоды и транзисторы) еще не удалось. Поэтому
применение пленочных ИМС ограничено.

     Гибридные ИМС- это микросхемы представляющие собой комбинацию
пленочных микросхем, навесных дискретных (активных) компонентов и
полупроводниковых ИМС. которые обычно располагают на диэлектрической
подложке пленочной ИМС. Пример структуры гибридной ИМС и ее
эквивалентная схема показаны на рисунке 6.2 а, б (1 – 6 омические контакты).




      Рисунок 6.2

      Совмещенные ИМС - это микросхемы, у которых активные элементы
выполнены гак же, как и у полупроводниковых ИМС, а пассивные - как у
пленочных ИМС. При этом пассивные элементы выполняют на предварительно
изолированной части той же подложки, что и активные элементы. Все ИМС
помещают в герметичный корпус.
      Функциональную сложность ИМС характеризуют степенью интеграции -
числом содержащихся в ней элементов и компонентов. Количественную оценку
степени интеграции производят по коэффициенту К= lg( N) , где N число
элементов и компонентов схемы (таблица 6.1).




126