Электроника и основы микропроцессорной техники. Раимова А.Т - 106 стр.

(транзисторы p-n-p-типа, диоды, резисторы и др.) создаются на основе
структурных слоев транзисторов n-р-n-типа.
      Многоэмиттерные транзисторы. Помимо биполярных транзис-
торов, соответствующих дискретным транзисторам, в микроэлектронике
применяют разновидности транзисторов, не имеющие аналогов в
дискретном исполнении. Mногоэмиттерные транзисторы (МЭТ) являются
одним из таких видов. Они имеют (рисунок 6.3 а) один коллектор К и
несколько (до 8 и более) эмиттеров Э1, Э2, ЭЗ, объединенных одним общим
базовым слоем Б.
      Эмиттеры представляют собой высоколегированные n-слои малых
размеров, под эмиттерными переходами расположен общий базовый р-слой.
Коллектором является эпитаксиальный n-слой, нанесенный на подложку n+-
типа (эпитаксиальным называют тонкий рабочий слой однородного
полупроводника, наращиваемый на сравнительно толстую подложку) В
общем случае МЭТ можно рассматривать как совокупность отдельных
транзисторов с соединенными базами и коллекторами (рисунок 6.3 б, в)
МЭТ в ИМС используются для созданий схем транзисторно-транзисторной
логики (ТТЛ).




      Рисунок 6.3

      Многоколлекторные транзисторы. Структура многоколлекторного
транзистора (МКТ) (рисунок 6.4 а) такая же, как и структура МЭТ, но
используется она иначе. Здесь роль эмиттера выполняет эпитаксиальный n-слой,
а коллекторами являются высоколегированные n -слои малых размеров. Поэтому
МКТ можно рассматривать как МЭТ в инверсном режиме (рисунок 4.4 б, в).
Исходя из такого использования структуры, необходимо увеличивать
коэффициент инжекции эмиттера. С этой цепью подложку n+-типа располагают по
возможности ближе к базовому слою. Будучи высоколегированной, она
обеспечивает увеличение коэффициента инжекции.


128