Электроника и основы микропроцессорной техники. Раимова А.Т - 108 стр.

      На рисунке 6.5 б представлена структура этой схемы (И2Л).
Эпитаксиальный n-слой (вместе с подложкой n -типа) является эмиттером всех
n-p-n-транзисторов, базой каждого МКТ является свой р-слой, а коллектором -
малые n+-слои. Инжекторный p-n-p-транзистор имеет отдельно выполненный в
виде длинной р-полоски инжектор, его базой служит эпитаксиальный n-слой, а
коллекторами - базовые р-слои многоколлекторных n-р-n-транзисторов. Таким
образом, в схеме один и тот же слой выполняет две функции: является базой р-n-
р- транзистора и коллективом n-р-n-транзистора, эмиттер n-р-n-транзистора
является базой р-n-р-транзистора.
      Полевые МДП-транзисторы. В ИМС в основном применяют МДП-
транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом. В качестве
диэлектрика обычно используют SiO2, тогда эти транзисторы называют МОП-
транзисторами. Канал транзисторов может быть, и р-, и n-типа. По сравнению с
ИМС на биполярных транзисторах ИМС на МОП-транзисторах технологически
проще, так как при этом не требуется изоляции элементов, истоки и стоки
смежных транзисторов разделены встречно включенными p-n-переходами.
Поэтому МДП-транзисторы можно располагать близко друг к другу, что
обеспечивает большую плотность компоновки. МДП-транзисторы можно
использовать и в качестве пассивных элементов ИМС, а также нагрузочных
резисторов (при соответствующем включении). Все это позволяет создавать
логические ИМС полностью на базе только МДП-структур.
      Диоды. Для создания диода нужно сформировать один р-n-переход. Но в
биполярных ИМС основной структурой является транзисторная, поэтому диоды
получают путем диодного включения транзисторов. Возможны пять
вариантов таких включений (рисунок 6.6).




      Рисунок 6.6



130