Электроника и основы микропроцессорной техники. Раимова А.Т - 110 стр.

сильнолегированная область полупроводника (n+-слой). Индуктивные катушки
и трансформаторы в полупроводниковых ИМС отсутствуют.
      Элементы пленочных ИМС. Технология пленочных ИМ позволяет
выполнить только пассивные элементы, в том числе и индуктивные катушки
Резисторы, конденсаторы и индуктивные катушки изготовляют путем
напыления или нанесения многослойных резистивных, проводящих и
изолирующих пленок на поверхность подложки.
      Пленочные ИМС в зависимости от способа нанесения и толщины пленок
подразделяют на тонкопленочные (толщина пленок до 1-2 мкм) и
толстопленочные (толщина пленок 10-20 мкм и выше). Так как все пленочные
элементы располагают на диэлектрической подложке, отпадает необходимость
в их изоляции. Расстояния между элементами сравнительно большие, подложка
достаточна толстая, поэтому паразитные емкости практически отсутствуют.
      Индуктивные катушки изготовляют путем напыления на подложку
проводящих спиралей различной конфигурации. На рисунке 6.7 показана
пленочная катушка индуктивности в виде прямоугольной спирали.




                               Рисунок 6.7

     Большие интегральные схемы (БИС). Создание БИС (см. в таблице 6.1)
характеризует новый этап в развитии микроэлектроники. Высокая степень
интеграции в БИС может быть обеспечена увеличением плотности упаковки
элементов. Функциональная сложность БИС связана с большим числом
контактов, сложным рисунком и большой площадью металлизации, а также
значительной площадью для изоляции элементов. Все это требует решения
схемотехнических проблем, размещения базовых элементов.
     Решение комплекса проблем - технологических, схемотехнических
физических и других - привело к функциональной интеграции, то есть к
интеграции элемента, иначе - к использованию одного и того же участка
кристалла для выполнения нескольких функций. С этой целью совмещают
пассивные элементы с базовыми или коллекторными элементами транзисторов;
рабочие области диодов и транзисторов; области различных транзисторов с
вертикальной и горизонтальной структурами. Кроме того, функциональная


132