Электроника и основы микропроцессорной техники. Раимова А.Т - 105 стр.

         Таблица 6.1

      Степень
                  Значение К Число элементов       Название ИМС
     интеграции
         1              <1          до 10         Простая (малая)
          2            14         > 10000     Сверхбольшая (СБИС)



      Примером простых ИМС могут служить логические элементы.
Средние ИМС - это сумматоры, счетчики, оперативные запоминающие
устройства (ОЗУ), постоянные запоминающие устройства (ПЗУ) емкостью 256-
1024 бит. Большие ИМС (БИС) – это арифметико-логические и
управляющие устройства. В последние десятилетия разработаны ИМС 4-5-ой
степени интеграции с числом элементов М=10 4 -10 6 и минимальными
размерами элементов 1,0-0,1 мкм сверх большие ИМС (СБИС).
      В качестве характеристики ИМС используют также плотность
упаковки элементов - количество элементов (чаще всего транзисторов} на
единицу площади кристалла. В настоящее время плотность упаковки ИМС
составляет 500-1000 элементов/мм2 и более.
      Элементы ИМС. Все элементы полупроводниковых ИМС выполняют на
поверхности и в объеме полупроводникового кристалла. Каждому из них
соответствует определенная область полупроводникового материала,
свойства и характеристики которой соответствуют свойствам и
характеристикам дискретных элементов - диодов, транзисторов, резисторов,
конденсаторов и др. Эти области изолируют друг от друга либо путем
создания обратносмещенных p-n-переходов, либо диэлектриками. Все
элементы соединяют в соответствии с электрической схемой. Межсоединения
выполняют путем напыления металла на поверхность полупроводника или
создают высоколегированные полупроводниковые полоски (металлизация).
Межсоединения называют также металлической разводкой. Основным
материалом для межсоединений служит алюминий.
      В основе конструкций ИМС лежит транзисторная структура, все
активные и пассивные элементы реализуются с ее помощью. Базовыми
элементами являются биполярные и МДП-транзисторы.
      Биполярные транзисторы. В ИМС используют обе структуры
биполярных транзисторов n-р-n и p-n-р. Наиболее часто применяют транзистор
n-p-n-типа. Технология таких ИМС разрабатывается в расчете на то, чтобы
обеспечить оптимальные параметры транзисторов, остальные элементы ИМС

                                                                       127