Электроника и основы микропроцессорной техники. Раимова А.Т - 24 стр.

уменьшения обратного тока необходимо снижать концентрацию неосновных
носителей, что может быть обеспечено за счет высокой степени очистки
исходного полупроводника. Обычно применяют полупроводники, в которых на
10 9 − 1010 атомов основного элемента приходится один атом примеси.
        Характеристики реальных диодов несколько отличны от вольт-амперных
характеристик р-n-перехода. Их вид зависит от рода основного
полупроводникового материала, площади р-n-перехода, температуры.
Особенно сильно влияние температуры сказывается на обратной ветви
характеристики, так как с ростом температуры возрастает тепловой ток. В
германиевых диодах увеличение температуры на десять градусов вызывает
увеличение обратного тока в два раза, в кремниевых диодах в два с половиной
раза. С ростом обратного тока увеличивается нагрев р-n-перехода, что может
привести к тепловому пробою. Верхний предел рабочих температур для
германиевых диодов составляет (от 85 до 100) °С, для кремниевых – до 200 °С.
        Простейшая       схема       однополупериодного       выпрямителя     с
полупроводниковыми диодами показана на рисунке 3.3. К диоду в общем
случае может быть приложено как постоянное (для определения рабочей точки
на характеристике), так и переменное напряжение, поэтому для описания
работы диода в первом случае используют статические характеристики и
параметры, во втором случае – динамические. Статические параметры - это
прямой выпрямленный ток наибольшее допустимое напряжение, обратное
сопротивление, максимально допустимая мощность и др. Динамические
параметры - дифференциальное сопротивление rД = dU / dI , общая емкость
диода С, емкость между выводами диода при заданных напряжении и частоте,
которая включает емкости         C б , C ДИФ и емкость корпуса диода; граничная
частота f ГР , на которой выпрямленный ток уменьшается в 2 раз.




     Рисунок 3.3


     3.1.4 Импульсный диод

     Импульсные диоды предназначены для работы в импульсных режимах.
Такие диоды используют, например, в вычислительных устройствах (в
ключевых, логических схемах и др.). В импульсных режимах через промежутки
времени, равные единицам - долям микросекунды, диоды переключаются с
прямого напряжения на обратное. При этом каждое новое состояние диода не

46