Электроника и основы микропроцессорной техники. Раимова А.Т - 26 стр.

в течение определенного времени обратный ток достигает установившегося
значения), и обратное сопротивление восстановится до нормального значения.
Процесс уменьшения заряда в базе называется рассасыванием.
      К току рассасывания добавляется зарядный ток барьерной емкости С б , р-
n -перехода, возникающий под действием обратного напряжения, увеличивая
тем самым импульс обратного тока.
      Для улучшения свойств импульсных диодов при их проектировании
исходный материал выбирают с малым временем жизни носителей заряда
(тогда интенсивнее рекомбинация) и р-n-переход делают с малой площадью,
чтобы снизить емкость С б .
      Импульсные диоды могут быть точечными и плоскостными. Конструкция
и технология изготовления импульсных диодов практически аналогичны
конструкции и технологии изготовления точечных высокочастотных диодов и
плоскостных (с малой площадью – р-n-перехода) выпрямительных диодов.
      Точечные импульсные диоды слаботочные, их широко применяют в ЭВМ
в качестве быстродействующих переключающих элементов. Плоскостные
диоды работают при средних и больших импульсных токах.
      Основными параметрами импульсных диодов являются время
восстановления t ВОС и барьерная емкость С б , а также обратный ток I ОБР при
определенном обратном напряжении U ОБР , постоянное прямое напряжение U ПР
при постоянном прямом токе I ПР , максимально допустимый импульсный
прямой ток I ПР.MAX , максимально допустимое обратное напряжение U ПР.MAX .


     3.1.5 Туннельный диод

      Туннельным диодом называют полупроводниковый прибор, который
сконструирован на основе вырожденного полупроводника (т.е. полупроводника
с большим содержанием примеси), в котором при обратном и небольшом
прямом напряжении возникает туннельный эффект и вольт-амперная
характеристика имеет участок с отрицательным дифференциальным
сопротивлением.
      Устройство туннельных диодов в принципе почти не сличается от
устройства других диодов, но для их изготовления применяют
полупроводниковые материалы с большим содержанием примесей (до 10 20 см −3 ).
Вследствие этого удельные сопротивления областей р- и n- типов очень малы, а
ширина р-n-перехода составляет примерно 0,02 мкм, что в сто раз меньше, чем
в других полупроводниковых диодах. Напряженность электрического поля в
таких р-n-переходах достигает огромной величины - до 10 6 В/см.
      Вольт-амперная характеристика туннельного диода и его условное
обозначение в схемах показаны соответственно на рисунке 3.6. Рассмотрим с
помощью зонной теории вид вольт-амперной характеристики. В равновесном

48